Buck-Boost电路中，最低电压为其最恶劣情况
以下图为例：
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注：1、Np为初级绕组匝数，Ns为次级绕组匝数； 2、Vmos为MOS最大耐压值，1为整流管压降，Vl为漏，Vl=100V，Vmos选取遵循的原则：开关关断瞬间，加在MOS上电压值为Vmos的25%（或30V）时，应留有50V的裕度。 |
若电路处于CCM模式，取频率为f。
1、确定初/次级匝数比
∵Vmos=Vinmax+(Np/Ns) (Vo+1)+Vl
∴初/次级匝数比n=Np/Ns=(Vmos-Vinmax-80-100)/(Vo+1)；
2、保证磁芯不饱和且始终工作在CCM模式
由伏秒平衡知(Vinmin-1)ton=(Vo+1) *toff ---①（设MOS、整流管正向导通压降为1V）
为保证电路工作于CCM模式，应使ton+toff=T -----------②
故联立①②得tonmax={(Vo+1)*(Np/Ns)*T}/{(Vinmin-1)+(Vo+1)*(Np/Ns)}；
3、 初级电感确定
∵Pout= ηPin，Pout=Vo*Icps*(toff/T)，Pin=Vinmin*Icpr*(tonmax/T)；
（Icpr:初级电流上升斜坡中间值，Icps:次级电流下降斜坡中间值）
∴Icpr=(Po*T)/(η*Vinmin*tonmax)
∵Icpr=dIp/2
∴Lp= =(Vinmin-1)*tonmax/dIp=(Vinmin-1)*tonmax/(2*Icpr)
4、初/次级匝数确定
Np=(Lp*Ip)/(ΔB*Ae)
Ns=Np/n
5、 初/次级电流有效值确定
Irms(初级)=(Ip/√3)*(√(Ton/T))
Irms(次级)=Ip*(Np/Ns)*(√(Toff/T))/(√3)
若电路处于DCM模式，取频率为f
1、确定初/次级匝数比
∵
∴初/次级匝数比
；
2、保证磁芯不饱和且始终工作在CCM模式
由伏秒平衡知(Vinmin-1)ton=(Vo+1) *toff ---①（设MOS、整流管正向导通压降为1V）
为保证电路工作于DCM模式，应使ton+toff=T -----------②
故联立①②得
；
3、 初级电感确定
4、初/次级匝数确定
5、 初/次级电流有效值确定
