电路处于Buck-Boost DCM模式，最恶劣情况为输入电压最低时。取频率为f
以下图为例：
1、MOS耐压选择：
Vmos≥Vinmax+Vout+80
2、保证磁芯不饱和且始终工作在DCM模式
由伏秒平衡(Vinmin-1)*ton=Vout*toff --------①（设MOS正向导通压降为1V）
为保证电路工作于DCM模式，应使ton+toff=0.8T ---------------②(设计20%T的死区时间)
故联立①②得tonmax=0.8Vout/(f*(Vinmin+Vout-1))
3、初级电感确定
∵Ip= P*(2√2)/(Vin*D)，
又∵Ip=(Vinmin*tonmax)/Lp
∴Lp=Vinmin*tonmax/Ip
4、初/次级匝数确定
Np=(Lp*Ip)/(ΔB*Ae)
Ns= Vcc*Np/(Vinmax+Vout)
5、初/次级电流有效值确定
Irms(初级)=(Ip/√3)*(√(Ton/T))
Irms(次级)=(Ip*(Np/Ns)/√3)*√(Toff/T)