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1.写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。如下图所示：
一个存储单元电子划分的越多，那么在写入的时候，控制进入浮栅极的电子的个数就要越精细，所以写耗费的时间就加长；同样的，读的时候，需要尝试用不同的参考电压去读取，一定程度上加长读取时间。所以我们会看到在性能上，TLC不如MLC,MLC不如SLC. 
一个FLASH Block的组织架构。一个WordLine对应着一个或若干个Page，取决于SLC,MLC或者TLC。对SLC来说，一个WordLine对应一个Page；MLC则对应2个Page，这两个Page是一对：Lower Page 和Upper Page；TLC对应3个Page。一个Page有多大，那么WordLine上面就有多少个存储单元（Cell），就有多少个Bitline。一个Block当中的所有这些存储单元（Cell）都是共用一个衬底的。
DIE/LUN是接收和执行FLASH命令的基本单元。上图中，LUN0和LUN1可以同时接收和执行不同的命令。但在一个LUN当中，一次只能执行一个命令，你不能对其中的某个Page写的同时，又对其他Page进行读访问。
每个Plane都有自己独立的Cache Register或者 Page Register，一般情况下，两个Register内容都是一样的，其大小等于一个Page的大小。
Host在写某个Page的时候，它是先把数据从Host传输到该Page所对应Plane的Cache Register当中，然后再把整个Cache Register当中的数据写到NAND FLASH阵列；
读的时候类似，它先把这个Page的数据从FLASH阵列读取到Page Register，然后再按需传给host。
NAND FLASH的擦除是以Block为单位的。为什么呢？那是因为在组织结构上，一个Block当中的所有存储单元（Cell）是共用一个衬底的（Substrate）。当你对某衬底施加强电压，那么上面所有浮栅极的电子都被吸出来了。
SLC的擦写次数可达十万次，MLC一般为几千到几万，TLC降到几百到几千。
对MLC或者TLC来说，写一个Block当中的Page，应该顺序写：Page0，Page1，Page2，Page3，…；禁止随机写入，比如：Page2，Page3，Page5，Page0，…，这是不允许的。但对读来说，没有这个限制。SLC也没有这个限制。
读干扰（Read Disturb）
从NAND读取原理来看，当你读取一个Page的时候，Block当中未被选取的Page控制极都会加一个正电压，以保证未被选中的MOS管是导通的。这样问题就来了，频繁的在一个MOS管控制极加正电压，就可能导致电子被吸进浮栅极，形成轻微的Program。从而最终导致比特翻转。但是，这个不是永久性损伤，重新擦除Block还能正常使用。注意的是，Read Disturb影响的是同一个Block中的其它Page，而非读取的Page本身。
写干扰（Program Disturb）
我们写一个Page的时候，数据0和1混合的。由于对擦除过的Block，其所有的存储单元初始值就 是1，所以Program的时候，只有写0的时候才真正需要Program。如上图所示，绿色的Cell是写0，需要Program的，红色的代表写1，并不需要Program。我们这里把绿色的Cell称之为Programmed Cells，红色的Cell叫Stressed Cells。写某个Page的时候，我们是在其 WordLine的控制极加一个正电压(上图是20V),对于Programmed Cells所在的String，它是接地的，不需要Program Cell所在的String，它是接一正电压（上图为10V）。这样最终产生的后果是，Stressed Cell也会被轻微Program。与Read Disturb不同的是，Program Disturb 影响的不仅是同一个Block当中的其它Page，自身Page也受影响。相同的是，都是不期望的轻微 Program导致比特翻转，都非永久性损伤，经擦除后，Block还能再次使用。
电荷泄漏
存储在NAND FLASH存储单元的电荷，如果长期不使用，会发生电荷泄漏。不过这个时间比较长，一般十年左右。同样是非永久性损伤，擦除后Block还能使用。
上面说的这些，是所有NAND面临的问题，包括SLC，MLC和TLC。对MLC来说，又有其特有的 一些问题。
1.正如前面提到的，MLC最大擦写次数变小。这样，就更需要Wear Leveling技术来保证整个存储介质的使用寿命。
2.对MLC来说，一个存储单元存储了两个比特的数据，对应着两个Page：Lower Page和Upper Page。假设Lower Page先写，然后再写Upper Page的过程中，由于改变了整个Cell的状态，如果这个时候掉电，那么之前写入的Lower Page数据也丢失。一句话，写一个Page失败，可能会导致另外一个Page的数据损坏。
3.前面说到，不能随机写。不能先Program Upper Page，然后再Program Lower Page，这点就限制了我们不能随意的写。 4.写Lower Page时间更短，写Upper Page时间更长。所以会看到有些Page写入速度快，有些Page写入时间慢。读取时间对Lower Page和Upper Page来说都差不多。