（3）向SDRAM写入数据。
观看视频：https://www.bilibili.com/video/BV16t411H7iw?p=7
这里设计往SDRAM中写入两行数据。
SDRAM写时序图：
‘写’的状态机：
状态REQ是写请求状态。
状态PRE是预充电状态。
退出‘写’的三种情况：
①数据已经写完
②SDRAM需要进行刷新了
③需要激活下一行
sdram写模块的时序设计图
依据上述两张时序图，可以实现写模块的代码。
命令查询表格：
所以查询上面表格，写出如下命令：
代码设计不贴了。
仿真情况如下：
激励文件中205us才开始触发写。
列地址写完512，然后换行Row=1。
写数据：3，5，7，9。
写完两行之后，不再写，一直在刷新，每隔15us刷新一次。
需要跑15us才能看到刷新命令。
写end！