（4）从SDRAM读出数据。跟写原理一致。
前几个以及这个博文都用到的命令解释！
代码设计就不帖了。
仿真结果：
开始初始化：
初始化之后就开始写数据，并且满足15us的时间间隔，还会暂停写，跑去刷新，然后继续再写。
写完512个数据换第二行写
写完数据并不会立即读，而是一直在刷新，当读触发信号到达，开始读数据。
当读完SDRAM的两行数据，那么一直在刷新。
读end！
其中这里由于存在潜伏期，所以PRECHARGE命令之后，又重新读数据。
