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  • [转载]NOR和NAND 存储器的联系与区别

    转载了,对于我理解两种Flash起到了帮助,希望博主继续再接再厉,更新博文
    一、类型理解

       分为NOR(或非)  NAND(与非)

    二、接口理解

      NOR(或非)----地址、数据总线分开;

      NAND(与非)----地址、数据总线共用。

    三、读写单位:

      NOR(或非)----字节;

      NAND(与非)----页。

    四、组成结构:

       NOR(或非)----扇区、字节;

       NAND(与非)----块、页;

    五、擦除单位:

       NOR(或非)----扇区;

       NAND(与非)----块;

    六、原理区别:

    A、FLASH区别EEPROM

       他们的存储单元基本一致,只是FLASH的存储单元的源极都是连在一起的,因此,擦除是会一起擦除,

      而EEPROM是可以按字节独立擦除的,

       EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

      EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,

      EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。

    技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

    但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。

    B、NOR区别NAND

      寻址:NAND每次读取数据时都是制定 块地址、页地址、列地址,列地址就是读的页内起始地址,每次都是先将数据读入页缓冲区内,再由I/O输入地址在缓冲区内寻址,其实这里列地址,只是指定起始地址的作用

           1、NAND是以页为基本单位操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲,数据首先写入这里,再写命令后,再统一写入页内,因此每次改写一个字节,都要重写整个页,因为它只支持页写,而且如果页内有未擦除的部分,则无法编程,在写入前必须保证页是空的。

           因此NAND页缓冲区的作用就是,保证芯片的按页的读、写操作,是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁,因为数据是从I/O输入的又是每次一个字节,因此需要缓冲。

           2、NOR则是字节为基本单位操作的,可以字节写、读,但擦除是扇区操作的。

    综上所述在芯片操作上,NAND要比NOR快很多,因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。

       

    七、应用:
       NAND 正是基于这种构造:块、页,无法字节寻址,页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换 ,因此也没有很多地址引脚,所以其地址、数据线共用,所以容量可以做的很大 。

       NOR 是和SRAM一样的可随机存储的,也不需要驱动,因此,其地址就有限,所以容量普遍较小,其实是受限于地址线。

       再就是NAND 坏区较多,

      基于以上几点,在工业领域,NOR 用的较多,特别是程序存储,少量数据存储等。

      在消费领域,大量数据存储,NAND较多。



    补充:09.04.2012

    Nand Flash NorFlash都是Flash的一种,都是内存,但是Nand Flash一般比较大,而Nor Flash比较小,并且NorFlash比较贵,并且Nor Flash写的速度比较慢,但读的速度比较快,而Nand Flash读的速度比较慢,写的速度比较快。

    Nand Flash一般是用来存储数据,而Nor Flash是用来执行程序。同时,Nor Flash读取速度稍微快于Nand Flash,而Nand Flash在写入速度和擦出速度比Nor 快得多。


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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/JustDoFPGA/p/8412731.html
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