分析mosfet的开关速度。

mosfet的开关速度，有栅极上的电压冲放速度有关。有栅极输入电阻和Cgd和Cgs构成的RC时间常数决定。其中其决定性作用的是Cgd。

单片机的IO内阻一般几十欧姆，而一般的栅极驱动器一般只有几个欧姆。
提升驱动电流和减小栅极电阻是一回事。

mosfet一般栅极寄生电阻就有1欧姆。

快速开通mosfet会给电路带来毛刺干扰，快速关断没有问题。
可以在栅极添加合适栅极电阻，减小开关速度，同时在电阻上反并一个二极管，不影响关断速度。