半导体
指导电率介于导体与绝缘体之间的物质，分为：
1、本征半导体
2、杂质半导体（在半导体内掺入少量硼或磷）
半导体的载流子（导电率相关）
半导体的本征激发形成：
1、自由电子
2、空穴
半导体的复合——激发的逆过程
本振激发受温度影响（空穴对于自由电子形成的滞后？）
杂质半导体（导电率的改变）
两种杂质半导体：
1、N型：Negative Semiconductor
在本征半导体中掺入少量的磷元素（5价）外部所多出的电子即为多数载流子（多子），故称之为N型；
注意：半导体（多为Si）本身属于较为稳定的元素，本征激发并不剧烈，因此即便掺入少量杂质，其产生的多子也是原先的百万倍
2、P型：Positive Semiconductor
在本征半导体中掺入少量的硼元素（4价）外部所多出的空穴即为多数载流子（多子），故称之为P型；
杂质半导体受温度影响
多子受温度影响小，少子受温度影响大
2021/1/5 13:45
SZ