FET的特性与参数
1、特性
通过前文的学习,几类FET的特性都可以很容易的分析出来,首先做一个分类, N型和P型,二者最显著的特征就是沟道载流子不同导致的控制端的需要的电压方向不同,故N型的两特性曲线分布在x轴上方,P型则相反(y轴参考方向为电流由漏极d流向源极s,即自由电子由源极s流向漏极d;空穴由漏极d流向源极s),耗尽型MOSFET与JFET一样属于天生有沟道,但耗尽型MOSFET属于正向增至击穿,反向增至阈值(off),JFET只能正向增至阈值(off),反向则会导致PN结正偏导通;而增强型MOSFET只能在增过阈值后出特性,且只能在此方向增至击穿,更为直观的分类如下图:
正负参考与上表相同
2、参数
a/直流参数
UGS(th) 阈值(开启电压),对应增强型MOSFET
UGS(off) 阈值(夹断电压),对应JFET和耗尽型MOSFET
IDSS 饱和漏极电流,对于耗尽型MOSFET而言,是当uGS = 0(控制)时,uDS大于UGS(th)(达到恒流区,注意耗尽型与增强型的区别,增强型在达到恒流区时uDS还需要减去一个uGS,而耗尽型由于天生有沟道,uGS可为0)产生的漏极电流;对于JFET而言,这种情况与耗尽型很类似,是在uGS为0V的情况下uDS产生预夹断的漏极电流
RGS(DC) 直流输入电阻,为栅源电压uGS与栅极电流之比,MOSFET> 109Ω,而JFET > 107Ω
b/交流参数
低频跨导 动态等效电导