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  • mos管功耗

    题目:CMOS反相器的功耗主要包括哪几部分?分别与哪些因素相
    关?
    P_dynamic 是电路翻转产生的动态功耗
    P_short是P管和N管同时导通时产生的短路功耗
    P_leakage 是由扩散区和衬底之间的反向偏置漏电流引起的静态功耗
    静态功耗:CMOS反相器在静态时,P、N管只有一个导通。由于没有Vdd到GND的直流桐庐,所以
    CMOS的静态功耗应该等于零。但实际上,由于扩散区和衬底的PN结上存在反向漏电流,所以会产生静
    态功耗。
    短路功耗:CMOS电路在“0”和“1”的转换过程中,P、N管会同时导通,产生一个由Vdd到VSS窄脉冲电
    流,由此引起功耗
    动态功耗:C_L 这个CMOS反相器的输出负载电容,由NMOS和PMOS晶体管的漏扩散电容、连线电容
    和扇出门的输入电容组成。

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