实验十九：SDRAM模块② — 多字读写
表示19.1 Mode Register的内容。
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Mode Register |
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A12 |
A11 |
A10 |
A9 |
A8 |
A7 |
A6 |
A5 |
A4 |
A3 |
A2 |
A1 |
A0 |
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0 |
0 |
OP Code |
0 |
0 |
CAS Latency |
BT |
Burst Length |
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实验十八我们实现单字读写，实验十九则要实现多字读写。表19.1告诉我们，A2~A0控制Burst Length的长度，为了实现长度为4的字读写，A2~A0的内容设置为3’b010。
7: // Send LMR Cmd. Burst Read & Write, 3'b011 mean CAS latecy = 3, Sequentia 4 burst length
begin rCMD <= _LMR; rBA <= 2'b11; rA <= { 3'd0, 1'b0, 2'd0, 3'b011, 1'b0, 3'b010 }; i <= i + 1'b1; end
代码19.2
如代码基本上，初始化的大致过程与实验十八没有什么两样，仅有更改 Mode Register 的内容，结果如代码19.2所示。对此，写操作还有读操作因为读写字节改变，所以时序也稍微改变了一下。
多字写操作：
图19.1 多字写操作的理想时序图。
图19.1是多字写操作的理想时序图。T1~T3基本上没有什么改变，反之接续的T4~T6会依据Burst Length设置的长度而有所改变。由于 Burst Length 设置为 4，结果T3写第一字数据，T4写第二字数据，T5写第三字数据，T6则写第四字，然而大致的过程如下所示：
l T1，发送ACT命令，BANK地址与行地址；
l T1半周期，SDRAM读取；
l T2，满足TRCD；
l T3，发送WR命令，BANK地址与列地址，还有写第一字数据；
l T3半周期，SDRAM读取；
l T4，写第二字数据；
l T4半周期，SDRAM读取；
l T5，写第三字数据；
l T5半周期，SDRAM读取；
l T6，写第四字数据；
l T6半周期，SDRAM读取；
l T7，满足TWR；
l T8，满足TRP。
Verilog则可以这样描述，结果如代码19.2所示：
1. 1: // Send Active Command with Bank and Row address
2. begin rCMD <= _ACT; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= iAddr[21:9]; i <= i + 1'b1; end
3.
4. 2: // wait TRCD 20ns
5. if( C1 == TRCD -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
6. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
7.
8. 3: // Send Write command with row address, pull up A10 to PR
9. begin rCMD <= _WR; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= {4'b0010,iAddr[8:0]}; D1 <= iData[63:48]; i <= i + 1'b1; end
10.
11. 4:
12. begin rCMD <= _NOP; D1 <= iData[47:32]; i <= i + 1'b1; end
13.
14. 5:
15. begin rCMD <= _NOP; D1 <= iData[31:16]; i <= i + 1'b1; end
16.
17. 6:
18. begin rCMD <= _NOP; D1 <= iData[15:0]; i <= i + 1'b1; end
19.
20. 7: // wait TWR 2 clock
21. if( C1 == TWR -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
22. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
23.
24. 8: // wait TRP 20ns
25. if( C1 == TRP -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
26. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
代码19.2
假设多字读写由高至低，那么步骤3写入iData[63:48]，步骤4写入 iData[47:32]，步骤5写入 iData[31:16]，步骤6写 iData[15:0]。
多字读操作：
图19.2 多字读操作的理想时序图。
图19.2是多字读操作的理想时序图，大致过程如下：
l T1，发送ACT命令，BANK地址与行地址；
l T1半周期，SDRAM读取；
l T2，满足TRCD；
l T3，发送RD命令，BANK地址与列地址；
l T3半周期，SDRAM读取命令；
l T4，满足 CAS Latency；
l T5，读取第一字数据；
l T6，读取第二字数据；
l T7，读取第三字数据；
l T8，读取第四字数据。
多字读操作相较单字读操作稍微有一些不同，不同的地方除了读取数据的字变长以外，还有 TRP满足在最后两字之中。至于Verilog则可以这样描述，结果如代码19.3所示：
1. 1: // Send Active command with Bank and Row address
2. begin rCMD <= _ACT; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= iAddr[21:9]; i <= i + 1'b1; end
3.
4. 2: // wait TRCD 20ns
5. if( C1 == TRCD -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
6. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
7.
8. 3: // Send Read command and column address, pull up A10 to PR
9. begin rCMD <= _RD; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= { 4'b0010, iAddr[8:0]}; i <= i + 1'b1; end
10.
11. 4: // wait CL 3 clock
12. if( C1 == CL -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
13. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
14.
15. 5: // Read Data
16. begin T[63:48] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
17.
18. 6: // Read Data
19. begin T[47:32] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
20.
21. 7: // Read Data
22. begin T[31:16] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
23.
24. 8: // Read Data
25. begin T[15:0] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
代码19.3
代码19.3也没有什么好解释的，基本上完全根据图19.2描述。理解完毕以后，我们就可以开始建模了。
图19.3 SDRAM基础模块的建模图。
图19.3是SDRAM基础模块的建模图，这家伙比较实验十八，最大的区别就是iData与oData的位宽增大而已。
sdram_funcmod.v
图19.4 SDRAM功能模块的建模图。
图19.4是SDRAM功能模块的建模图，具体内容我们还是来看代码吧。
1. module sdram_funcmod
2. (
3. input CLOCK,
4. input RESET,
5.
6. output S_CKE, S_NCS, S_NRAS, S_NCAS, S_NWE,
7. output [1:0]S_BA, //2
8. output [12:0]S_A, //12, CA0~CA8, RA0~RA12, BA0~BA1, 9+13+2 = 24;
9. output [1:0]S_DQM,
10. inout [15:0]S_DQ,
11.
12. input [3:0]iCall,
13. output oDone,
14. input [23:0]iAddr, // [23:22]BA,[21:9]Row,[8:0]Column
15. input [63:0]iData,
16. output [63:0]oData
17. );
以上内容为相关的出入端声明，注意第15~16行的位宽增大至64位。
18. parameter T100US = 14'd13300;
19. // tRP 20ns, tRRC 63ns, tRCD 20ns, tMRD 2CLK, tWR/tDPL 2CLK, CAS Latency 3CLK
20. parameter TRP = 14'd3, TRRC = 14'd9, TMRD = 14'd2, TRCD = 14'd3, TWR = 14'd2, CL = 14'd3;
21. parameter _INIT = 5'b01111, _NOP = 5'b10111, _ACT = 5'b10011, _RD = 5'b10101, _WR = 5'b10100,
22. _BSTP = 5'b10110, _PR = 5'b10010, _AR = 5'b10001, _LMR = 5'b10000;
23.
以上内容为相关的常量声明。
24. reg [4:0]i;
25. reg [13:0]C1;
26. reg [15:0]D1;
27. reg [63:0]T;
28. reg [4:0]rCMD;
29. reg [1:0]rBA;
30. reg [12:0]rA;
31. reg [1:0]rDQM;
32. reg isOut;
33. reg isDone;
34.
35. always @ ( posedge CLOCK or negedge RESET )
36. if( !RESET )
37. begin
38. i <= 4'd0;
39. C1 <= 14'd0;
40. D1 <= 16'd0;
41. T <= 64'd0;
42. rCMD <= _NOP;
43. rBA <= 2'b11;
44. rA <= 13'h1fff;
45. rDQM <= 2'b00;
46. isOut <= 1'b1;
47. isDone <= 1'b0;
48. end
以上内容为相关的寄存器声明与复位操作，注意寄存器T是用来暂存读取数据。
49. else if( iCall[3] )
50. case( i )
51.
52. 0: // Set IO to output State
53. begin isOut <= 1'b1; i <= i + 1'b1; end
54.
55. 1: // Send Active Command with Bank and Row address
56. begin rCMD <= _ACT; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= iAddr[21:9]; i <= i + 1'b1; end
57.
58. 2: // wait TRCD 20ns
59. if( C1 == TRCD -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
60. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
61.
62. /*********************************************/
63.
64. 3: // Send Write command with row address, pull up A10 to PR
65. begin rCMD <= _WR; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= { 4'b0010, iAddr[8:0] }; D1 <= iData[63:48]; i <= i + 1'b1; end
66.
67. 4:
68. begin rCMD <= _NOP; D1 <= iData[47:32]; i <= i + 1'b1; end
69.
70. 5:
71. begin rCMD <= _NOP; D1 <= iData[31:16]; i <= i + 1'b1; end
72.
73. 6:
74. begin rCMD <= _NOP; D1 <= iData[15:0]; i <= i + 1'b1; end
75.
76. /**********************************************/
77.
78. 7: // wait TWR 2 clock
79. if( C1 == TWR -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
80. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
81.
82. 8: // wait TRP 20ns
83. if( C1 == TRP -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
84. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
85.
86. /*******************/
87.
88. 9: // Generate done signal
89. begin isDone <= 1'b1; i <= i + 1'b1; end
90.
91. 10:
92. begin isDone <= 1'b0; i <= 4'd0; end
93.
94. endcase
以上内容为部分核心操作。注意步骤3~6，D1用来驱动SD_Q，而iData赋值D1，次序由高至低。
95. else if( iCall[2] )
96. case( i )
97.
98. 0:
99. begin isOut <= 1'b0; D1 <= 16'd0; i <= i + 1'b1; end
100.
101. 1: // Send Active command with Bank and Row address
102. begin rCMD <= _ACT; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= iAddr[21:9]; i <= i + 1'b1; end
103.
104. 2: // wait TRCD 20ns
105. if( C1 == TRCD -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
106. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
107.
108. /********************/
109.
110. 3: // Send Read command and column address, pull up A10 to PR
111. begin rCMD <= _RD; rBA <= iAddr[23:22]; rA <= { 4'b0010, iAddr[8:0]}; i <= i + 1'b1; end
112.
113. 4: // wait CL 3 clock
114. if( C1 == CL -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
115. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
116.
117. /********************/
118.
119. 5: // Read Data
120. begin T[63:48] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
121.
122. 6: // Read Data
123. begin T[47:32] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
124.
125. 7: // Read Data
126. begin T[31:16] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
127.
128. 8: // Read Data
129. begin T[15:0] <= S_DQ; i <= i + 1'b1; end
130.
131. /********************/
132.
133. 9: // Generate done signal
134. begin rCMD <= _NOP; isDone <= 1'b1; i <= i + 1'b1; end
135.
136. 10:
137. begin isDone <= 1'b0; i <= 4'd0; end
138.
139. endcase
以上内容为部分核心操作。注意步骤5~8，寄存器T用来暂存读数据，次序由高至低。
140. else if( iCall[1] )
141. case( i )
142.
143. 0: // Send Precharge Command
144. begin rCMD <= _PR; i <= i + 1'b1; end
145.
146. 1: // wait TRP 20ns
147. if( C1 == TRP -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
148. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
149.
150. 2: // Send Auto Refresh Command
151. begin rCMD <= _AR; i <= i + 1'b1; end
152.
153. 3: // wait TRRC 63ns
154. if( C1 == TRRC -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
155. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
156.
157. 4: // Send Auto Refresh Command
158. begin rCMD <= _AR; i <= i + 1'b1; end
159.
160. 5: // wait TRRC 63ns
161. if( C1 == TRRC -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
162. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
163.
164. /********************/
165.
166. 6: // Generate done signal
167. begin isDone <= 1'b1; i <= i + 1'b1; end
168.
169. 7:
170. begin isDone <= 1'b0; i <= 4'd0; end
171.
172. endcase
以上内容为部分核心操作。刷新操作，基本上没有什么改变。
173. else if( iCall[0] )
174. case( i )
175.
176. 0: // delay 100us
177. if( C1 == T100US -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
178. else begin C1 <= C1 + 1'b1; end
179.
180. /********************/
181.
182. 1: // Send Precharge Command
183. begin rCMD <= _PR; { rBA, rA } <= 15'h3fff; i <= i + 1'b1; end
184.
185. 2: // wait TRP 20ns
186. if( C1 == TRP -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
187. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
188.
189. 3: // Send Auto Refresh Command
190. begin rCMD <= _AR; i <= i + 1'b1; end
191.
192. 4: // wait TRRC 63ns
193. if( C1 == TRRC -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
194. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
195.
196. 5: // Send Auto Refresh Command
197. begin rCMD <= _AR; i <= i + 1'b1; end
198.
199. 6: // wait TRRC 63ns
200. if( C1 == TRRC -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
201. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
202.
203. /********************/
204.
205. 7: // Send LMR Cmd. Burst Read & Write, 3'b011 mean CAS latecy = 3, Sequentia 4 burst length
206. begin rCMD <= _LMR; rBA <= 2'b11; rA <= { 3'd0, 1'b0, 2'd0, 3'b011, 1'b0, 3'b010 }; i <= i + 1'b1; end
207.
208. 8: // Send 2 nop CLK for tMRD
209. if( C1 == TMRD -1 ) begin C1 <= 14'd0; i <= i + 1'b1; end
210. else begin rCMD <= _NOP; C1 <= C1 + 1'b1; end
211.
212. /********************/
213.
214. 9: // Generate done signal
215. begin isDone <= 1'b1; i <= i + 1'b1; end
216.
217. 10:
218. begin isDone <= 1'b0; i <= 4'd0; end
219.
220. endcase
221.
以上内容为部分核心操作。初始化操作，注意步骤7，Burst Length 设置为 3’b010。
222. assign { S_CKE, S_NCS, S_NRAS, S_NCAS, S_NWE } = rCMD;
223. assign { S_BA, S_A } = { rBA, rA };
224. assign S_DQM = rDQM;
225. assign S_DQ = isOut ? D1 : 16'hzzzz;
226. assign oDone = isDone;
227. assign oData = T;
228.
229. endmodule
以上内容为相关的输出驱动，D1驱动S_DQ，T驱动oData。
sdram_ctrlmod.v
该控制模块的内容基本上与实验十八一模一样，笔者就不重复粘贴了。
sdram_demo.v
图19.5 实验十九的建模图。
图19.5是实验十九的建模图，虽然外观上改变不大，最多只是Data的位宽改为64位而已 ... 话虽如此，核心操作则有点不同，具体的内容让我们来看代码吧。
1. module sdram_demo
2. (
3. input CLOCK,
4. input RESET,
5. output S_CLK,
6. output S_CKE, S_NCS, S_NRAS, S_NCAS, S_NWE,
7. output [12:0]S_A,
8. output [1:0]S_BA,
9. output [1:0]S_DQM,
10. inout [15:0]S_DQ,
11. output TXD
12. );
以上内容为相关的出入端声明。
13. wire CLOCK1,CLOCK2;
14.
15. pll_module U1
16. (
17. .inclk0 ( CLOCK ), // 50Mhz
18. .c0 ( CLOCK1 ), // 133Mhz -210 degree phase
19. .c1 ( CLOCK2 ) // 133Mhz
20. );
21.
以上内容为PLL模块的实例化。
22. wire [1:0]DoneU2;
23. wire [63:0]DataU2;
24.
25. sdram_basemod U2
26. (
27. .CLOCK( CLOCK1 ),
28. .RESET( RESET ),
29. .S_CKE( S_CKE ),
30. .S_NCS( S_NCS ),
31. .S_NRAS( S_NRAS ),
32. .S_NCAS( S_NCAS ),
33. .S_NWE( S_NWE ),
34. .S_A( S_A ),
35. .S_BA( S_BA ),
36. .S_DQM( S_DQM ),
37. .S_DQ( S_DQ ),
38. .iCall( isCall ),
39. .oDone( DoneU2 ),
40. .iAddr( {D1,2’b00} ),
41. .iData( D2 ),
42. .oData( DataU2 )
43. );
44.
以上内容为sdram基础模块的实例化。
45. parameter B115K2 = 11'd1157, TXFUNC = 6'd16;
46.
47. reg [5:0]i,Go;
48. reg [10:0]C1;
49. reg [21:0]D1;
50. reg [63:0]D2,D3;
51. reg [10:0]T;
52. reg [1:0]isCall;
53. reg rTXD;
54.
55. always @ ( posedge CLOCK1 or negedge RESET )
56. if( !RESET )
57. begin
58. i <= 6'd0;
59. Go <= 6'd0;
60. C1 <= 11'd0;
61. D1 <= 22'd0;
62. D2 <= 64'd0;
63. D3 <= 64'd0;
64. T <= 11'd0;
65. isCall <= 2'b00;
66. rTXD <= 1'b1;
67. end
以上内容为相关的寄存器声明还有复位操作。第45行是波特率为115200的常量声明还有伪函数入口。
68. else
69. case( i )
70.
71. 0:
72. if( DoneU2[1] ) begin isCall[1] <= 1'b0; i <= i + 1'b1; end
73. else begin isCall[1] <= 1'b1; D1 <= 22'd0; D2 <= 64'hAABBCCDDEEFF8899; end
74.
75. 1:
76. if( DoneU2[0] ) begin D3 <= DataU2; isCall[0] <= 1'b0; i <= i + 1'b1; end
77. else begin isCall[0] <= 1'b1; D1 <= 22'd0; end
78.
79. 2:
80. begin T <= { 2'b11, D3[63:56], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
81.
82. 3:
83. begin T <= { 2'b11, D3[55:48], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
84.
85. 4:
86. begin T <= { 2'b11, D3[47:40], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
87.
88. 5:
89. begin T <= { 2'b11, D3[39:32], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
90.
91. 6:
92. begin T <= { 2'b11, D3[31:24], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
93.
94. 7:
95. begin T <= { 2'b11, D3[23:16], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
96.
97. 8:
98. begin T <= { 2'b11, D3[15:8], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
99.
100. 9:
101. begin T <= { 2'b11, D3[7:0], 1'b0 }; i <= TXFUNC; Go <= i + 1'b1; end
102.
103. 10:
104. i <= i;
105.
106. /******************************/
107.
以上内容为部分核心操作。步骤0将64位的数据写入地址0，步骤1则将数据从地址0读取。步骤2~9则是轮番将数据送出去。
108. 16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26:
109. if( C1 == B115K2 -1 ) begin C1 <= 11'd0; i <= i + 1'b1; end
110. else begin rTXD <= T[i - 16]; C1 <= C1 + 1'b1; end
111.
112. 27:
113. i <= Go;
114.
115. endcase
116.
117. assign S_CLK = CLOCK2;
118. assign TXD = rTXD;
119.
120. endmodule
以上内容为部分核心操作。步骤16~27是发送一帧数据的伪函数。第117~118行则是相关的输出驱动。综合完毕并且下载程序，如果串口调试程序出现数据 AABBCCDDEEFF8899，结果表示实验成功。
细节一：完整的个体模块
本实验的SDRAM基础模块已经准备就绪。
细节二：读写地址的驱动方式
1. sdram_basemod
2. (
3. ...
4. iAddr( {D1，2’b00} ),
5. ...
6. );
7. reg [21:0]D1;
8. ...
9. always @ ( posedge CLOCK1 )
10. ...
11. case( i )
12. 0:
13. if( ... ) ...
14. else D1 <= 22'd0; ...
代码19.4
代码19.4是sdram_demo的部分内容，其中iAddr由22位宽的D1与2’b00联合驱动，好奇的朋友一定会觉得疑惑“为什么”？其实这是经过深思以后的写法。实验十九是多字读写操作，其中长度为4，或者说地址的偏移量为4，所以iAddr[1:0] 所指定的范围基本作废。为了正式这点问题，代码19.4需要这样表达。
1. sdram_basemod
2. (
3. ...
4. iAddr( D1 ),
5. ...
6. );
7. reg [23:0]D1;
8. ...
9. always @ ( posedge CLOCK1 )
10. ...
11. case( i )
12. 0:
13. if( ... ) ...
14. else D1 <= 24'd1; ...
代码19.5
如代码19.5所示，假设我们无视这个问题，直接使用24位宽的D1驱动iAddr，然后将数据写入地址24’d1。根据SDRAM的内部操作，数据会依序写入地址为1234，而不是 0123 或者 4567 之类 ... 如此一来，我们会不小心破坏地址的偏移量。