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  • SRAM 静态内存芯片 IS62WV51216 的使用 STM32F407ZGT6

            SRAM的英文全称为Static Random Assess Memory,意为静态随记存储器。SRAM属于易失性存储器,

    就是掉电之后,存储器中的内容便会丢失。

            IS62WV51216芯片是 ISSI 芯成半导体公司的产品。容量为512K word,数据最小长度为16-Bits。芯片

    一次数据读写的最短时间有45ns或55ns两种模式,工作电压2.5-3.6V。

           芯片采用44脚TSOP封装。

                                       

       

          CS1/ :  片选使能,低有效

          OE/ : 输出使能,低有效

          WE/ : 写使能, 低有效

           A0 - A18:地址线

          I/O 0 - I/O 15 :数据线

          UB/  LB/ :  高8位数据控制  低8位数据控制,低有效

          Vdd :电源正

          GND : 电源地

          与STM32F407ZGT6连接使用方法如下:

          1  IS62WV51216芯片5脚地址线A0,连接F407的10脚,即FSMC_A0,依次连接到A15;

          2  IS62WV51216芯片7脚数据线D0,连接F407的85脚,即FSMC_D0,依次连接到D15;

          3  IS62WV51216芯片6脚片选线CS1/,连接F407的125脚FSMC_NE3;

          4  IS62WV51216芯片41脚输出使能线OE/,连接F407的118脚FSMC_NE3FSMC_NOE;

          5  IS62WV51216芯片17脚写使能线WE/,连接F407的119脚FSMC_NWE;

          6  IS62WV51216芯片40脚高8位数据控制UB/ ,连接F407的142脚FSMC_NBL1; 

          7  IS62WV51216芯片39脚低8位数据控制LB/ ,连接F407的141脚FSMC_NBL0;  

          8  IS62WV51216芯片 Vdd接3.3V, GND 接地

            

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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/beiyhs/p/13063040.html
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