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  • SDRAM notebook

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           chapter  one

    * SDRAM 3.3V DDR2 1.8V 电压越低充放电特性越快
    * RAS_N 行地址选通 CAS_N 列地址选通
    * DQM[1:0] 数据掩码 DQM[1] = 1代表 高八位输出高阻态 DQM[0] = 1 低八位输出高阻态
    * 读写顺序
    1、active(打开行地址)
    2、A0 ~ A12 (行地址)
    3、BA0 ~ BA1 (BANK地址)
    4、A0 ~ A8 (列地址)
    * precharge : 关闭一个或者多个行(防止丢失数据)
    * 刷新/自动刷新 -----电容自放电特性,为了防止数据丢失
    * A0 ~ A12
    1、行地址线
    2、列地址线
    3、模式寄存器
    * Burst length : 突发长度 由模式寄存器设定的值确定
    * 页读写 : 把一行里面的所有数据全部读出来
    * 注意 : Type = Sequential 和 Type = Interleaved 的区别
    * CAS latency(CL潜伏期) : 从读命令(写没有潜伏期)开始 到 第一个有效的数据的时间间隔(2 ~ 3 个时钟)
    * A10 :是否写、读操作之后立即进行预充电(每次读写Bank 只能打开一行、一列),所以要提前关闭行地址
    * trp :进行预充电,只有等待 trp 时间 Bank 才可以被重新操作
    * 自动刷新 : 在一定的时间内给sdram 命令 ,sdram 会自动一行接着一行的刷新(电荷在64ms内是稳定的,所以64ms之内必须全部刷新一遍)

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    2019.11.20 开启一天的工作
  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/bixiaopengblog/p/6700858.html
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