开漏电路中的“漏”即是MOSFET的漏极，开漏电路即是指MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成，如图1所示：
图1
开漏电路有如下特点：
1、利用外部电路的驱动能力，减少IC内部驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流从外部VCC流经上拉电阻R pull-up，MOSFET到GND，IC内部只需要很小的栅极驱动电流。
2、可以将多个开漏输出PIN连接到一条线上，形成“与逻辑”。如上图中，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0。这也是I2C、SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3、可以通过改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2所示，IC的逻辑电平由VCC1决定，而输出高电平由VCC2决定。这样我们就可以利用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
图2
应用中注意：
1、开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。
2、2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。
图3