多次使用IR2104s，每次的调试都有种让人吐血的冲动。现在将使用过程遇到的错误给大家分享一下，方便大家找到思路。
一.自举电容部分（关键）
1、听说自举电路必须要安装场效应管，于是我在使用过程中，安装了只半桥的高端场效应管。
结果：高端驱动HO无输出信号
正确做法：自举电路回路是与半桥的下场效应管构成回路的，应该安装下场效应管，保险的做法是两个场效应管都安装
2、自举电容采用104，自举二极管采用SS34 ，（这两种参数是我以前比赛的常见参数值，很自信）
测试条件：1K PWM
结果：LO 有1K的PWM ，VS 有 1K PWM，上场效应管Ugs = 2V，
反思：以前比赛的时候，测试使用的是信号发生器给PWM，标准频率为10K。
正确办法：把输入PWM的频率改为 10K 。因为自举电容与 自举回路的充放电频率有关，频率越高，自举电容越小。
3、买到假芯片引起错误
有一次测试也是高端引起不正常，结果换一块芯片就正常了。
4、现象：IR2104s HO端对地测试的电压为PWM（高电平为2倍IR2104s的VCC，低电平为0）
IR2104s LO 端对地测试的电压为PWM（高电平为1倍IR2104s的VCC，低电平为0）
原因：这是很明显的自举参数不对，你测Vgs的电压应该是接近0的电平）
5、买到假的场效应引起错误。
二、驱动部分（共性）
1、驱动能力不足引起带负载能力不足,且效率低下。
由于IR2104s的推挽电流为130mA/270mA，在做大功率电源开关器件的驱动的时候，由于驱动能力不足，会导致输出带负载能力不足。
目前，IR公司的IR2184的驱动电流为1.4A/1.8A，HIP4081的驱动能力有2.5A，TI的UCC系列有4A的驱动。
理由：由于MOSFET的G，D，S两两之间存在寄生电容，他们的输入电容、输出电容和反向传输电容公式分别为
其中：Ciss与驱动设计有关，特别是驱动电流过小，充电时间慢。
Coss用于设计软开关，可能引起电路的谐振。
Crss影响开关的上升和下降时间。