内存初始化

内存分类：
DRAM:它的基本原件是小电容，电容可以在两个极板上保留电荷，但是需要定期的充电（刷新），否则数据会丢失。缺点：由于要定期刷新存储介质，存取速度慢。
SRAM:静止存取功能的内存，不需要定期刷新电路就能保存它内部存储的数据，优点：存取速度快，缺点：功耗大，成本高。用于stepping stone.
DRAM:SDRAM(同步（内存工作需要同步时钟，数据的传输都以该时钟为基准。）动态随机存储器2440),DDR（双倍速率同步动态随机存储器6410）,DDR2（210）
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内存内部结构：内存的内部结构如图表格，数据就存储在每个单元格中，数据存储是先提供L-Bank的选择信号,行号，在指定列号，我们就可以找到单元格了。
一个内存芯片通常会分为4个L-Bank.
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推到内存容量的计算公式：4*L-Bank*单元格数目*每个单元格容量。接下来打开一个芯片的手册：如4Bank*4M*16Bit=32Mb
2440内存初始化：
2440地址空间：我们发现2440的芯片共有27根地址线，意味着它可以访问2^27=128M的地址空间。我们知道这个地址空间是非常小的，那么我们需要通过一种方式让它的地址空间变大。这里使用了片选信号：
片选信号：通过发送片选信号，是的27根地址线旋转，然后可以指定的访问不同的芯片。S3C2440有8个片选信号，因此他可以转向八个不同的芯片。因此他可以访问的空间达到了8*128M（但同时只能选择一个NGC0） OK6419核心板原理手册：p
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S3C2440手册p194页，我们可以看到S3C2440芯片的一个片选分布图。
存储控制器：就是需要访问的内存转化成Bank号，行号，列号。
初始化内存就是编写代码初始化存储控制器。只有将它初始化后我们才能访问相应的内存芯片。
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内存芯片与开发板芯片的硬件连接：4*4*16
16bit有两层含义：一是：单元格的容量为16bit,二是数据宽度为16
但查看芯片手册我们知道2440是32位数据线的，这样的话就有16位数据线浪费了，所以这里采用的是将2440，同时连在两个16位的内存芯片上。
存储控制寄存器：主要是控制对外设的访问，
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设置2440的存储控制器：翻到S3C2440p206页。很快我们就看到了我们要设置的第一个寄存器：BWSCON:主要用来设置总线宽度和等待状态控制。
这个寄存器主要是用来设置bank的，从芯片手册上我们可以看到并没有使用UB/IB,所,
31wei:ST7设置为0，
30wei,WS7(是否使能等待状态)通常不使用，设为0.
29位，28位，DW7(决定数据总线的宽度)为32位，设为10
其他类似设置。0010 0010 0000 0000 0000 0000 0000 0000其他因为暂时不要，所以保持默认值。0x22000000
接下来我们发现有6组BANKCON0,1，..寄存器：对于这六组寄存器我们保持它的默认值就可以了。0x00000700*6
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接下来是BANK6和BANK7寄存器的设置：
15,16wei:MT(在BANK6，7中内存的类型):我们知道类型为Sync.DRAM,这里我们设置为11.
接下来的这些为分为两种情况：ROM和SDRAM这里我们使用的是SDRAM
所以我们只需要设置4位。
1 0100 0000 0000 0001
2，3wei:Trcd(行列选择信号的延时)往上看时序图p205，这里选择的是两个时钟,设为00
0,1wei:SCAN(列地址的数目)，从内存芯片手册上我们知道这里是9位。设为01.0x00018001*2
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接下来的一个寄存器是REFRESH:(用于SDRAM refresh )
23wei:REFEN(是否要刷新)这里选择是，这位1
22wei:TREFMD(选择刷新模式)这里选择自动刷新，设为0
20,21wei:Trp(选择充电时间)找到时序图，这里为两个时钟，设为00
18,19wei:tsrc(进行一次刷新的时间)通常为7个时钟，设为11
16,17wei:00
11..15:00000
0-10:刷新周期（）Refresh period = (2^11-refresh_count+1)/HCLKEx).HCLK是用来控制内存时钟的。这里取1269徐转成16进制。0x008c04f5
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接下来是BANKSIZE:
7wei:BURST_EN(ARM核的突发操作（访问内存的时候是否可以批量使用数据）是否使能)这里选择enable,设为1
6wei:0
5wei：是否使用节电模式，是，设为1
4wei:这里设为recommended 即设为1
3wei:不用，设为0
0-2：设置bank6,7memory,这里是64M,001
0xb1
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接下来是：MRSRRB6 MRSRRB7设置bank6,7模式的register
这里只需要设置4-6wei:CL(CAS信号的潜伏期（latency）),看到时序图中，找到NSCAS:潜伏期指的是nSRAS的低电平-》nSCAS的低电平的时钟；这里为3个：设为：011000
0x30*2
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手把手带你写代码：
bl init_sdram
bl light_led
#define mem_contrl 0x48000000
init_sdram:
ldr r0,=mem_contrl //设定初值
add r3,r0,#4*13 //循环结束值
adrl r1,mem_data //装载长地址
@循环设置
0：
ldr r2,[r1],#4 //将r1装载到r2,再将r1移动4位
str r2,[r0],#4 //将r2中的信息存放到r0中
cmp r0,r3 //比较r0,r3的大小
bne 0b //如果不等，跳转到0处b("before")

mov pc,lr
mem_data: //类似数组
.long 0x22000000
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00018001
.long 0x00018001
.long 0x008c04f5
.long 0x000000b1
.long 0x00000030
.long 0x00000030
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6410：
地址空间：6410用于32位的地址总线，寻址空间为4G,其中高2G为保留区（0x80000000-0xfffffff），低2G区域分为主存储区（1972,0x0000000-0x6fffffff），外设区（256,0x70000000-0x7fffffff）.
外设区：
主存储区：
1.boot镜像区（0x00000000-0x07ffffff）：这个区域不会固定的去关联某个硬件，当选择某个硬件进行启动的时候，它会把个硬件映射到这个区域来。
2.内部存储区(0x07ffffff-0x0fffffff,128M)：包含stepping stone 等。
3.静态存储区：可以用来接nor flash one nand6*128分为了6个bank.
4.动态存储区（内存的起始地址0x50000000）：DDR的就是放在了动态存储区。
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内存芯片连接（使用的是2片128M的内存芯片）：
内存控制器的初始化：S3C6410X：p192页5.4.1描述了SDRAM初始化的流程。
1.向Memc_cmd中写入3位100，使DRAM控制器进入config状态。p193
2.想一系列寄存器（参数时序，芯片配置，id配置）中写入参数
3.等待200us，这一步可以省略。
4.执行内存（DDR）的初始化。5.4.3
5.将存储控制器设置到ready state
6.检查memory status 是否设置为b01,如果是则存储控制器为ready状态。
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下面我们来看一段内存初始化能正常工作的代码：cpu->s3c64xx->
s3c6410->cpu_init.S
bl mem_init
bl light_led
更改makefile
vi makefile
all : mem.o
touch mem.S
vim mem.S
.text
.global mem_init
mem_init:
@向memc_cmd中写入0b100
ldr r0,=0x7e00104
mov r1,0x4
str r1,[r0]
@different register set
....
@内存序列的设置5.4.3
ldr r0,=0x7e00108
mov r1,0xc0000 @发出一个nop的指令，将第19,18位设置为0b11
str r1,[r0]
@issue prechangeall
ldr r0,=0x7e00108
mov r1,0x0
str r1,[r0]
@issue autorefresh
ldr r0,=0x7e00108
mov r1,0x4
str r1,[r0]
ldr r0,=0x7e00108
mov r1,0x4
str r1,[r0]
@参考u-boot写的，内存初始化的第五，六步。
ldr r0,=0x7e00108
mov r1,0x0a0000
str r1,[r0]

ldr r0,=0x7e00108
mov r1,0x80032
str r1,[r0]
@将DRAM控制器设置为准备状态。
ldr r0,=0x7e001004
mov r1,0x0
str r1,[r0]
@check ready
check_ready:
ldr r0,0x7e001000
ldr r1,[r0]
mov r2,#0x3
and r1,r1,r2
cmp r1,#0x1
bne check_ready
mov pc,lr
我们查看u-boot代码，发现第一步我们是没有做的。在手册上find"MEM_SYS_CFG"p160页，这里我们主要看他的第七位（设置xml引脚是否作为数据线，0 = Xm1DATA[16:31] pins are used for DMC1 upper halfword，1 = Xm1DATA[16:31] pins are used for SROMC upper 11-bit address field, address[26:16]. ）：这里我们将这位设置为0，作为DMC的数据线来使用。
在最前面加上：
@set data pin
ldr r0,=0x7e00f120
mov r1,#0x0
str r1,[r0]