第九课：MOSFET放大信号分析

1.MOSFET模型

a. S-R模型：

  1） 当V_GS小于阈值时，源漏之间看做开路

  2）当V_GS大于等于阈值时，短路，或者看做是电阻

   当V_GS 在阈值两侧切换，漏源间电路会表现为： 开路--电阻---开路---电阻........

b. 但实际上，MOSFET非常复杂，实验中观察漏源间电流。可以看到：

  在a 2)情形下：如果V_DS 继续增加，会发现Ids 恒定，不再增加，达到饱和

  第二种模型  SCS模型:  开关电流源模型

  但V_DS在超过某点后，I_DS饱和，表现为电流源:

  当V_DS>V_GS-V_T  此时 i_DS= （k/2）(V_GS-V_T)²  （饱和方程）。 i_DS是由V_GS确定的，不管V_DS再加的多么大

2.

 特性曲线：每条曲线都是当V_GS给定时的 i_DS-V_{GS 关系}

  三极区（线性区）, 饱和区， 截止区

约束条件：

     V_DS>V_GS-V_T  保证在饱和区

     V_GS>V_T   保证开启

满足该约束条件时用SCS模型，否则用SR模型

一般对于数字电路，用SR模型，因为V_DS在数字电路中一般都非常小，此时输出就是在高-低-高-低间切换

对于模电，用SCS模型，因为此时它表现的像电流源，它能实现放大。而在线性区是不能实现放大的。

3.分析：

  目标：得到Vo关于Vi的方程

  方法1 解析法： 列方程    1饱和方程

                            2 负载方程

  方法2 图解法：负载线和输出的交叉点