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  • 第十五课:存储与状态

    1. V0+=V0 + (VI -V0) (1 - e -t/RC)

        电容真正存储的是电荷,但对于一个线性电容来说,它存储的也是电压,称其为state。

       状态:预测将来所需的所有输入的汇总

       电容的状态就是电压

        V在零时刻以前的值无关紧要

        电容电压的未来值 是 电容初始状态和未来时间输入变化 的函数   Vc(t)  =  F(Vc(0), VI(t))

       电容所有t<0的状态都包含在Vc(0)中

    2:只考虑两种情况

       当输入在t>=0时 VI(t) 为常数,就得到了上面的方程。

       分离出两种形式:零状态响应  Vc.ZSR =  VI (1 - e -t/RC)

                             零输入响应   Vc.ZIR = V0 (e -t/RC)

        电容的响应等于两者之和

    2.基本的存储器抽象:

      存储单元的功能: 当存储指令到达时,存储单元会读取当前输入,并一直保持到下次存储指令来到 (采样) 

      这也是 DRAM的关键实现

      DRAM 的基本单元就是 mosfet 作为开关电路,后面连接电容

      假设:存储脉冲宽度要大于时间常数RC

       电容的值不是永久保持的,它会逐渐降低。因此如果电容中存储1,它只会在有限的时间内保持1

          因此DRAM需要不断刷新

       改进方法:1.加缓冲

       存储器模型

       

        

       

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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/edelweiss/p/3635492.html
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