20145313《信息安全系统设计基础》第7周学习总结
教材学习内容总结
- 静态RAM：SRAM有双稳态特性。比DRAM更快也更贵。
- 动态RAM：DRAM对干扰非常敏感。
- DRAM芯片中的单元被分层d个超单元，每个超单元都有w个DRAM单元组成。一个d*w的DRAM总共存储了dw位信息。每个超单元有形如（i,j）的地址。存储控制器将行地址和列地址分别发送到DRAM，返回超单元（i,j）的内容。
- DRAM和SRAM断电后会失去信息，即易失性存储器。
- PROM只能被编程一次。
- EPROM可重复编程1000次。
- EEPROM可重复编程10^5次。
- 总线是一组并行导线，能携带地址、数据和控制信号。
- 读事物从主存传送数据到cpu。反之为写事物。
- 磁盘每个表面由一组称为磁道的同心圆组成，每个磁道被分为一组扇区。
- 磁盘容量由记录密度、磁道密度和面密度决定。
- 对扇区的访问时间包括：寻道时间、旋转时间和传送时间。
- DRAM和磁盘的性能要滞后于CPU的性能。现代计算机频繁使用基于SRAM的高数缓存，试图弥补处理器—存储器之间的差距。
- 局部性原理：程序倾向于引用邻近于其他最近被引用过的数据项的数据项，或者最近引用过的数据项本身。
- 局部性好的程序用时更短。
- 步长越短空间局部性越好。
- 存储器层次结构：上层是下层的高速缓存。
- 影响高速缓存性能的参数有：高速缓存大小的影响、块大小的影响、相联度的影响、写策略的影响。
代码
链接：http://git.oschina.net/entropy_z/Linux
学习进度条
| 代码行数（新增/累积） | 博客量（新增/累积） | 学习时间（新增/累积） | 重要成长 | |
|---|---|---|---|---|
| 目标 | 5000行 | 30篇 | 400小时 | |
| 第一周 | 200/200 | 1/1 | 20/20 | |
| 第二周 | 300/500 | 1/2 | 18/38 | |
| 第三周 | 500/1000 | 1/3 | 22/60 | |
| 第四周 | 150/1150 | 1/4 | 30/90 | |
| 第五周 | 150/1300 | 1/5 | 30/120 | |
| 第六周 | 50/1350 | 1/6 | 30/150 |