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  • 计算机原理 4.4 动态存储器工作原理

    1、SRAM存储单元的不足

     晶体管过多

    存储密度低

    功耗大

    2、DRAM存储单元的基本结构

     解决SRAM不足采取的方法:

    去掉两个负载管T3、T4

      提升存储密度

      降低功耗

      降低成本

    利用栅极分布电容缓冲电荷

    增加电路协同存储单元工作

    3、DRAM存储单元的工作原理

    写操作

    Y地址选通

      T7、T8管导通

      I/O端数据写入到位线

    X地址选通

      T5、T6管导通

      位线与C2、C1相连

    读操作:

    给出预充信号

      T9、T10导通

      充电电压给CD充电(充满)

    撤除预充信号

    X地址选通

      T5、T6管导通

      右CD通过C1放电

      左CD给C2充电

    Y地址选通

      T7、T8管导通

      左CD与右CD间形成放电电流

    读过程比写复杂、速度慢

    保持操作:

    X地址选通信号撤销

    Y地址选通信号撤销

    栅极电容容量有限,可持续的时间很短。

    刷新操作:

    给出预充信号

      T9、T10导通

      充电电压给左右CD充电

    撤除预充信号

    X地址选通

      T5、T6管导通

      右CD通过C1放电

      左CD给C2充电

    3、DRAM存储单元的刷新

    刷新周期:两次刷新之间的时间间隔

    双译码结构的DRAM刷新按行进行,需要知道DRAM芯片存储矩阵的行数

    刷新地址由刷新地址计数器给出。

     

     

     5、DRAM与SRAM的对比

     6、其他结构的DRAM存储单元

     进一步提高存储密度

      裁剪冗余电路

      核心是电容

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