1, 若需要修改memory mode, 需重新编译; 若不需要修改memory mode, 直接修改宏参数即可;
2, 宏参数列表:
3, 注意用LE搭memory的情况;
4, memory type与读写触发边沿(triggering)
注意，read/write triggering与地址/数据锁存是有区别的。
把triggering point理解为实际读/写发生的时间点，可以是上升沿或者下降沿；但地址/数据的锁存永远是在上升沿发生的。
5, 名词解释 -- continuous read
… when you write a data at the write clock rising edge and after the write operation is complete, you see the writtern data at the ourput port without the need for a read clock rsing edge.
MLAB ram supports continuous read.
6, 名词解释 – write cycle time interval
tWC, write cycle time internal, 指对同一地址的两次成功写操作之间的最小时间间隔。假如在tWC之内对同一地址有多于一次写操作，那么写内容可能是未知的。
7, memory ram存储深度与功耗
(1) 首先要说明，RAM的存储深度一定需要是2的n次幂。会有些文档描述，指M9K最大的memory depth是8K；为什么9K的空间只有8K的深度呢？就是因为存储深度一定需要是2的n次幂。
(2) 依据memory type不同，相应的最大存储深度不一样
The maximum block depth setting 64 for MLAB is not available for Arria V and Cyclone V devices.
(3) 如(1)所述，M9K最密可以分割成8Kx1的存储格式。事实上，最小存储单位(多少bit)稍微大一点，整个Ram块的功耗会相对下降。但该规律不是一直线性的，边界在存储深度为256时。
When the RAM is sliced shallower, the dynamic power usage decreases. However, for a RAM block with a depth of 256, the power used by the extra LEs starts to outweigh the power gain achieved by shallower slices.
8, address enable以及读写时序
… address enable (…) holds the previous address value for as long as the signal is enabled (addressstall = 1), 即保持住地址值。
address enable的实现电路如下：
重点是下图描述外部信号到内部存储cell的数据流向。看完此图后理解RAM读写时序应该不会有任何困难。
9, byte enable
byte enable mask的是写操作。先确认1-bit的byte enable控制多少比特实际数据(size)、确保写入数据宽度与size是整数倍关系即可。
可选的size值有：5, 8, 9, 10。不同的RAM类型可用的值不同
10, memory block上电时的初始值
只有MLAB可以灵活控制上电时的输出初值
11, freeze logic
用于重配置