存储器

存储器

概述

存储器可分哪些类型？

一、分类

1. 按存储介质分类：
   （1） 半导体存储器 TTL（晶体管）、主要是：MOS（金属氧化物）易失
   （2） 磁表面存储器 磁头，载磁体 非易失
   （3） 磁芯存储器 CoreMemory 硬磁材料、环状元件 非易失
   （4） 光盘存储器 激光、磁光材料 非易失
2. 按存取方式分类
   （1）存取时间和物理地址无关（随机访问）
   随机存储器： 在程序的执行过程中可读可写
   只读存储器： 在程序的执行过程中只读
   （2）存取时间和物理地址有关（串行访问）
   顺序存取存储器 磁带
   直接存取存储器 磁盘
   （3）存储器在计算机中的作用进行分类

graph LR start[存储器] --> zhucun[主存储器] zhucun-->RAM[RAM] zhucun-->ROM[ROM] start-->fucun[辅助存储器] RAM-->staticRAM[静态RAM] RAM-->dymRAM[动态RAM] ROM-->MROM ROM-->PROM ROM-->EPROM ROM-->EEPROM start-->FlashMemory start-->Cache fucun --> 磁盘 fucun --> 磁带 fucun --> 光盘

二、存储器的层次结构

1. 存储器的三个主要特征关系：
   速度 容量 价格/位
   
   计算机系统当中为什么要使用这么多类型的存储器？
   答：用户的要求
2. 缓存-主存层次和主存-辅存层次
   

三、主存的基本组成

一、概述

1. 主存的基本组成
   
2. 主存和CPU的联系
   
3. 主存中存储单元地址的分配
   大端：高位字节地址为字地址。
   小端：地位字节地址为字地址。
   设地址线为24根 按字节寻址 2^24 = 16MB
   若字长为16位 按字寻址 8MW
   若字长为32位 按字寻址 4MW
4. 主存的技术指标
   速度 容量
   （1）存储容量 主存 存放二进制代码的总位数
   （2）存储速度

• 存取时间 存储器的访问时间
  读出时间 写入时间
• 存取周期
  连续俩次独立的存储器操作（读或写）所需的最小间隔时间。
  读周期和写周期
  （3）存储器的带宽 位/秒

半导体芯片简介

1. 半导体存储芯片的基本结构
2. 半导体存储芯片的译码驱动方式
   线选法 和 重合发。

半导体存储芯片简介

1. 半导体存储芯片的基本结构
   
   地址线经过译码驱动电路，选择指定存储单元，完成数据选择。
   片选线：芯片选择信号，标识方式有两种，CS(芯片选择) 和 CE(芯片使能信号) 。
   读/写控制线：WE 表示信号是低电平时，对信号进行写操作，高电平是读。OE （允许读）
   地址线（单向）
   数据线（双向）
   芯片容量：

地址线数 2
2. 半导体存储芯片的译码驱动方式
（1）线选法

缺点：不适合大容量存储器架构
（2）重合法

行列地址分别出列，只能有俩个译码器可以用。

3. 随机存取存储器（RAM）
   1. 静态RAM

      1. 保存0和1的原理是什么？
         核心是利用触发器：

      2. 基本单元电路的构成是什么？
         T1 ~ T4 触发器
         T5 、 T6 行开关
         
         T7、T8 列开关
         T7、T8 一列共用

      3. 对单元电路如何读出和写入？
         六管静态RAM
         读出：
         给出行选信号-->T5、T6 开
         列选 --> T7,T8 开
         读选择有效
         Va --> T6 -->T8
         读放-->读放->DOUT
         写入：
         行选 -> T5、T6 开
         列选 -> T7、T8开
         写选择有效
         Din -> 俩个写放

      4. 典型芯片的结构是什么样子
         

      5. 静态RAM芯片的如何进行读出和写入操作？