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双极型存储器用TTL型晶体管逻辑电路作为基本存储电路，其特点是存取速度快，但和MOS型相比，集成度低，功耗大成本高，常作微机系统的高速缓冲存储器（cache）
MOS型存储器因制造工艺的不同，又有静态RAM动态RAM，EPROM E2PROM和FlashMemory等，他们的速度教较双极型慢，但集成度高，功耗低，价格便宜，是构成微型机内存的主要半导体存储器件。
按信息存储方式分类。分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM
随机存储器RAM又称读写存储器，其特点是信息可以按地址随时读入或写入。断电后信息消失，但目前有些RAM芯片内部带有电池，称为非易失或不挥发性的RAM（NVRAM）静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两类，静态RAM读写速度快，但集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存器，动态RAM读写速度慢，但集成度高，容量大，动态RAM利用电容的电荷存储效应来存储信息。由于电容存在漏电，存储电容经过一定时间后会自动消失，因此必须周期性对其刷新
存储容量：
常以字节或字为单位，一般描述为N*M（N表示芯片的存储单元数，M表示每单元的存储位数，）例如SRAM芯片6264容量位8K*8，即它有8K个存储单元，每个单元存储8位二进制数据。
2 存取速度
存储器的存取时间定义为存储器从定义到接受到存储单元地址启动工作开始，到它取出或存入数据为止所需要的时间。通常手册中给出这个参数的上限值，称为最大存取时间。半导体最大存取时间为十几纳秒到几百纳秒
3.可靠性
可靠性是指存储器对电磁场温度等外界变化因素的抗干扰性。半导体存储器由于采用大规模集成短路结构，可靠性高，一般用平均无故障时间BTTF描述，平导体存储器平均无故障时间为几千小时以上