SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
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请无视我的存在
关于速度：
SLC速度最快，MLC速度比TLC更快。但也有资料显示，MLC是不是比TLC快要看制程的，新制程的TLC比老的MLC快多了，不过寿命的确是MLC要长点。
关于擦写次数：
“TLC芯片”只能写500次并非意味着U盘拔插500次就完蛋了！简单举例，假设一个8G U盘，往里面写入8G，就算一次；清空写入3G，算第二次，在清空写入5G，仍然算第二次；再写入1G，那现在就开始算第三次。
换个角度来理解，假设8G U盘一生只能擦写500次，那么这个U盘一生理论上可以重复装载4000G 文件。而MLC芯片的U盘一生最少都能装载2.4万G到8万G。这就是为什么说TLC芯片的U盘相对短命的原因。
关于TLC：
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。