§1半导体基础知识
1）本征半导体
2）杂质半导体
3）PN结的形成及其单向导电性
4）PN结的电容效应
1. 本征半导体，特点。1）纯净；2）晶体结构，稳定。
空穴和自由电子成对出现。在一定温度下，自由电子和空穴的浓度是一样的。动态平衡。
载流子，外加一个电场时，自由电子动，空穴也会动。方向相反。即价电子运动。外部看到的电流，是2种运动形成的。
2. n型半导体，p型半导体。因导电的可控性而产生。
n型半导体是在硅里加5价的元素，比如磷，多了一个自由电子。这样就有一个问题，相对参杂质之前，空穴的数目是减少了，因为自由电子与空穴复合的概率增加。其多数
载流子是自用电子，少数载流子是空穴。
参入杂质越多，多数载流子的数量增加，导电性能增强。
p型半导体，加入3价元素，比如硼。其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
n型，p型都是靠控制参入的杂质来控制导电性。
问题：在有杂质的半导体内，温度变化了，载流子的数目变化么？
变化，因为热运动加剧。
那么少数载流子和多数载流子的数目的变化是否还是相同？
是。
少数载流子和多数载流子浓度的变化相同吗？
不同，从总的数目上看，比如少数载流子和多数载流子都增加2个，少数载流子增加的可能是1%，多数载流子增加的1%。。由此说明，少数 载流子是影响半导体器件温度稳定
性的主要因素。原因就是，当温度变化时，它的相对变化非常大。
3. PN结。
PN结的形成：
1）扩散运动，物质固有的运动。产生的原因是浓度差。
2）飘移运动，产生的原因是电位差。
当参与扩散运动的载流子的数目和漂移运动的载流子的数目相等，就形成PN结。
特殊的导电性，单向导电性。PN结外加正向电压，导通。扩散运动>漂移运动。外加反向电压，少数载流子漂移，电流趋于0，截止。
PN结的电容效应：
1）势垒电容，
2）扩散电容，
这两个电容，叫结电容。因此，到一定频率，相当于短路。这个电容不是一个常量，随工作条件而变化。
问题：
1）为什么把自然界的硅变成本征半导体，然后又参杂？
2）半导体器件，它的温度稳定性差，是多数载流子的影响大还是少数载流子的影响大？
3）半导体器件为什么有最高工作频率的限制？
4. 二极管的组成，伏安特性，稳压参数，特殊二极管。
1）点接触型：结面积小，结电容小，频率高，电流小。
2）面接触型：结面积大，工作频率低，电流大。
3）平面型：扩散工艺，可大可小。