1. 集电区：面积大；
2. 晶体管的放大原理
1）放大的条件：发射结正偏，uBE>Uon;集电结反偏，uCB>=0,即uCE>=uBE.
2)因发射区多子浓度高，使大量电子从发射区扩散到基区；因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合；因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩撒到
基区的电子漂移到集电区。
3）电流分配：IE=IB+IC
IE--扩散运动形成的电流；
IB--复合运动形成的电流；
IC--漂移运动形成的电流；
直流电流放大系数：
交流电流放大系数：β=△iC / △iB;
穿透电流：
3.晶体管的共射输入特性和输出特性
1）输入特性
2）输出特性
3）晶体管的三个工作区域
4）温度对晶体管特性的影响
5）主要参数