一、前言
调试的电路板为瑞萨F1KM系列，使用的FCL库版本为2.13，应用说明手册为R01US0078ED0213，手册和库都可以在官网下载到。
好，进入正题。
使用CS+版本时参考库提供的CC-RH_200文件夹 ，此文件夹下的FCL文件夹为源码文件，在调试时，添加此文件夹下所有文件，此文件夹下的文件都不要进行更改。
其中RH850-D1M1A、RH850-D1x、RH850-F1H、RH850-F1x、RH850-F1K文件下的文件为参考代码文件夹，根据芯片型号选择参考代码，进行调试。
根据F1KM系列我们选择F1K系列。在不了解具体流程前还是要按照参考代码进行调试，否则真有坑啊，由于之前理解擦写动作函数可以不在RAM中运行，导致调试时频繁出错，
不清楚问题出现哪里，后来理解了参考代码擦除操作是在RAM中的进行的，这个坑才跳出来。由于调试过程中遇到很多问题，在这里总结一下注意事项及相关操作方法。
二、工程的配置
2.1.在工程文件Section中添加FCL库所需要的段
2.1.1 ROM中添加
R_FCL_CODE_ROM.text
R_FCL_CONST.const
R_FCL_CODE_USRINT.text
R_FCL_CODE_USR.text
R_FCL_CODE_RAM.text
R_FCL_CODE_ROMRAM.text
R_FCL_CODE_RAM_EX_PROT.text
2.1.2 RAM中添加
R_FCL_DATA.bss
FCL_RESERVED.bss
关于FCL_RESERVED.bss段
由于此段的内定义的数据大小为宏FCL_RAM_EXECUTION_AREA_SIZE 为0x8000，共32K，占用了整个Local RAM大小，
由于在调试时Retention RAM中的变量在CS+ 中不正常，所以将FCL_RESERVED.bss段定义在Retention 段内，保证了调试程序时，变量的正常使用。
关于FCL_RAM_EXECUTION_AREA_SIZE 宏定义的大小应该可是进行修改的，在调试成功后，将宏定义改为了0x6000，擦写操作也能正常进行，但为了
保险起见，我们还是不要进行修改了，以防后面埋了个坑，反正定义也是在Retention RAM段，不影响正常变量的定义。
三、文件的修改
3.1 fcl_descriptor.h
根据上面FCL_RESERVED.bss段定义的Retention RAM起始地址，修改fcl_descriptor.h文件中的宏定义FCL_RAM_ADDRESS。
根据实际设置时钟大小进行FCL_CPU_FREQUENCY_MHZ的修改，
FCL_AUTHENTICATION_ID为安全ID，如果不使用，不需要进行修改。
3.2 关于boot.sam的修改
此定义为清零 RAM范围定义，将set后设置为芯片RAM正常地址
GLOBAL_RAM_ADDR
GLOBAL_RAM_END
LOCAL_RAM_ADDR
LOCAL_RAM_END
四、初始化过程
4.1 调用R_FCL_Init (&sampleApp_fclConfig_enu)函数
4.2 调用R_FCL_CopySections();函数
4.3 在内存中运行以下两个函数
FCLUser_Open ();
DRV_CodeFlashEnvInit();
两个函数。参考库提供的参考main.c的 方法为
fpFct = ( uint32_t (*)() )R_FCL_CalcFctAddr ( (uint32_t)(&FCL_Ctrl) );
fpFct ();
此处一定注意运行是在RAM中进行的，此处有坑，我就跳里了，不要直接运行FCL_Ctrl ()函数哦！！！
五、注意事项
调试成功后可以参考fcl_ctrl.c的例程，编写自己的接口程序了，新编写文件时，注意在源文件头添加#pragma section text "R_FCL_CODE_USR"的定义
将代码定义到R_FCL_CODE_USR段内，否则有坑！！！
编写好库文件后可以将fcl_ctrl.c移除工程文件了，进行接口函数的验证，擦除，写数据等。
通过程序擦写FLASH后，mem窗口查看内容不会立即显示，多调试下载几次代码就正常了。
总结完毕，欢迎讨论。