初级模拟电路：4-11 混合π模型

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      最后我们再来看一下混合π(Pi)模型，其主要用于高频分析，这里我们大致了解一下，等以后讲频率响应时还会碰到。混合π模型的等效电路如下：

图4-11.01 

      下面我们大致看一下混合π模型中的一些新出现的参数：

1. π模型的电阻

      混合π模型中出现了一些以前我们没见过的小信号交流电阻，下面我们逐一介绍：

● r_π：

      电阻r_π就相当于我们在r_e模型中的βr_e，下标π主要是为了表示这是π模型。

● r_o：

      电阻r_o就相当于我们在r_e模型中的输出电阻r_o，一般其值为5kΩ~40kΩ左右。

● r_b：

      电阻r_b主要是由于BJT的工艺结构产生，包含：基级接触电阻、基级体电阻、基级扩散电阻。r_b的值一般在几欧到几十欧左右。

● r_u：

      电阻横跨在r_u基级和集电极之间（下标u的含义是：union），它在输出和输入之间建立了一个反馈通路。r_u的阻值一般在兆欧级以上，在大多数情况下可视为开路。

2. 新增电容

      混合π模型相比于r_e模型最主要的变化是考虑了一些BJT晶体管原生的寄生电容的影响，这些电容值一般都比较小，故在中低频时可视为开路，但高频分析时就不能忽略它们的影响了，下面逐一介绍：

● C_π：

      C_π的值不大，一般在几个pF到几十pF左右，但它的位置比较关键，直接并联在输入电阻r_π两端，故在高频时，会分流掉本应流经r_π的大部分电流，使得交流放大倍数大幅减小。

● C_u：

      C_u的值也不大，一般在几个pF左右，但是它横跨在输入端和输出端之间，会产生密勒效应而影响高频性能。关于密勒效应我们在后面的频率响应章节再详细讲。

3. 近似为r_e模型

      在混合π模型中，将r_b近似视为0，将r_u近似视为无穷大，并且不考虑C_π和C_u的影响，就可近似等效成我们前面分析过的r_e模型，如下图所示：

图4-10.02 

     

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