目录
- 参考标准
- 目的
- 原理
- 试验等级
- 试验结果的评定
参考标准
GB/T 17626.4-2018 电磁兼容-试验和测量技术-电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
IEC61000-4-4:2012
目的
评估设备的供电电源端口、信号、控制和接地端口在受到电快速脉冲群时的性能
原理
脉冲群发生器的输出阻抗是50欧姆，耦合电容（10±2）nF，也可以使用（100±20）nF的电容替代耦合夹、金属箔或者金属带的分布电容把脉冲群耦合到线路的端子上。
所以，如果EUT的输入阻抗是50欧姆左右时，将耦合到最大功率的干扰。
典型耦合/去耦网络特性：
- 铁氧体的去耦电感 ＞100uH ，串联，抑制干扰的通过。
- 耦合电容 33nF，并联，提供对地通道。
可以尝试使用这两种办法解决脉冲群问题。
试验等级
产品开发时，两种频率5kHz-15ms-300ms和100kHz-0.75ms-300ms，最好都进行测试，进行摸底。
meter使用3级时，则，电源端口和接地端口（PE）2kV-5kHz ，信号端口和控制端口1kV-5kHz。电压电流采集端口当作电源端口。
GB/T 17626.4-2018 附录B 试验等级的选择中，可以看到3级是典型的工业过程设备环境的代表，4级是变电站等这类环境的代表。
试验结果的评定
解决脉冲群问题
1.干扰源：降低干扰
2.传播路径：阻隔路径
3.敏感设备：提高抗干扰能力，使得信号变强
如下：输入是MCU的IO引脚，3.3V电平，100kHz方波，右侧是5V供电的IC，高电平阈值3.5~5V，低电平阈值0~1.5V。
1.当MCU设置为开漏OD模式时，脉冲群干扰到后级IC。
分析：如下图，MCU输出低电平时，信号线到地的阻抗110Ω，如果有干扰，可以导入地平面。但高电平时，噪声传入地平面和电源平面的阻抗较大，有可能因此干扰后级IC。
2、当MCU的IO设置为Push-Pull模式，其高低电平阻抗都将近110欧姆，测试结果良好，如下：
分析：R4=110欧姆，R3=2k时，对于逻辑1（3.5V）的阈值和逻辑0（1.5V）的阈值，信号电平安全裕量不足。
如果保证均衡的安全余量，则，R4=680，R3=2k，如下：
此时的测试结果，由于限流电阻的变大，脉冲群干扰已经干扰后级IC，可以猜想到R4的阻抗阻碍了干扰流入电源和地平面的路径。
单纯使用电阻R1=680、R2=2k分压后，能够保证逻辑1和逻辑0都有0.23V的安全余量，但是噪声传入地平面的阻抗变大。
3、加一个C1=30nF，给噪声提供低阻抗的耦合路径。
此时，信号=3.3V方波，周期500kHz，输出信号的仿真波形，如下：
分析：C1可以提高高电平到4.2V，降低低电平到0.8V。
当信号频率降低为50kHz时，出现信号电平变不规则，加大C1即可。
