高端功率开关驱动的原理非常简单，和低端功率开关驱动相对应，就是负载一端和开关管相连，另外一端直接接地。正常情况下，没有控制信号的时候，开关管不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之，如果控制信号有效的时候，打开开关管，于是电流从电源正端经过高端的开关管，然后经过负载流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所示。
一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET，N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动，驱动电流很小，驱动功耗低，而且工作频率可以很高，适用于高 速控制，另外MOSFET的导通内阻很低，在毫欧级别，可以通过的稳定电流很大，因此适用于高功率的驱动。P型的MOSFET相对于同样的硅片面积，导通内阻较大，开关速度也比较慢，故N型MOSFET使用较多。
低端功率开关驱动电路的工作原理
低端功率开关驱动的原理非常简单，就是负载一端直接和电源正端相连，另外一端直接和开关管相连，正常情况下，没有控制信号的时候，开关管不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之，如果控制信号有效的时候，打开开关管，于是电流从电源正端经过负载，然后经过功率开关流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所示。
一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET，N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动，驱动电流很小，驱动功耗低，而且工作频率可以很高，适用用高速控制，另外MOSFET的导通内阻很低，在mΩ级别，可以通过的稳定电流很大，因此适用于高功率的驱动。P型的MOSFET相对于同样的硅片面积，导通内阻较大，故N型适用较多。
区别：
高端驱动是指在负载的供电端进行开关操作，低端驱动是指在负载的接地端进行开关操作。显而易见的区别是，如果是低端驱动，那么负载一端会始终接供电。应用上有诸多差别，但各有优劣，比如，如果你要做电流采样，那么用高端开关需要做差分采样，低端开关可以一根线共地采样。另外还有一些安全性的考虑，比如，如果你的驱动失效会引起安全问题，显然高端开关更安全。
高端驱动是指相对于负载工作电压而言用高电压控制输出，而低端驱动则是指相对于负载工作电压而言用低电压控制输出。
MOS管用于开关电路时候G极有必要串联电阻吗？
串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA,电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。