1.MOS管用于开关电路时候G极有必要串联电阻吗？
串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA,电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。
GS极存在寄生电容，可以通过这个电阻进行放电保护。
G极的对地电阻，为MOS提供一个负偏置，避免驱动信号断开的情况下G极受到干扰信号使得MOS意外导通。还有死区时间PMW信号电平为零，此时也需要这个电阻提供的负偏置使MOS保持关断状态并避免外界干扰。没有这个电阻，MOS极易受外界干扰导通造成烧管。
https://wenda.so.com/q/1382971982064963
http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b2c39e20100w69h.html
https://blog.csdn.net/yunnguitu/article/details/79624005
http://bbs.ic37.com/bbsview-35002.htm
https://www.diangon.com/wenku/rd/yuanqijian/201412/00015564.html
简单的说MOS管的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振，因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡。电阻有额定功率，当超过其额定功率时，电阻就烧了。这里之所以要求额定功率值是因为给MOS管栅极电容充电时，充电电流可能会很大，如果电阻额定功率不够，可能被烧掉。
与EMI有关，减缓驱动波形上升速度，假设驱动方波上升时间为t，则方波频域上高频时转折频率为1/(pai*t)，t越小则高频成分越高。加上一个小电阻，可以减小Cgs的充电速度，减小驱动波形的上升速度，减小dv/dt。
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小集电极的电压尖峰，应在栅极串上合适的电阻Rg。当Rg增大时，导通时间延长，损耗发热加剧;Rg减小时，di/dt增高，可能产生误导通，使器件损坏。应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg的数值。通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整 ) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件，建议在栅射间加入一电阻Rge阻值为10kΩ左右