随机访问存储器(Random-Access Memory,RAM)分为两类：静态和动态的。
静态RAM
SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。每个单元是是用一个六晶体管电路来实现的。它可以无限期地保持在两个不同的电压状态之一。其他任何状态都是不稳定的--位于不稳定状态是，电路会迅速地转移到两个稳定状态之一。由于SRAM存储器单元的双稳态特性，只要有电，就保持值不变。若有干扰，例如电子噪音，扰乱电压，但干扰消除时，电路会恢复到稳定值。
动态RAM
DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小，通常只有大约30x10负15次方法拉。DRAM存储器可以制造的非常密集--每个单元有一个电容和一个访问晶体管组成。DRAM存储单元对干扰非常敏感。当电容的电压被扰乱后，就永远不会恢复了。暴露在光线下会导致电容电压改变。DRAM单元在10-100毫秒时间失去电荷。计算机运行的时钟周期以纳秒衡量。存储器系统必须周期性的通过读出，然后重写来刷新存储器的每一位。