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  • 射频(一)_匹配

    射频(一)_匹配

     

     

    一.匹配

    LC匹配

    任意ZL匹配到任意ZS

    总结

    1. 匹配看S11à-∞;网分看50欧姆的另一判断依据。

    S21à0

    实际是单频点的匹配,但看的是宽频段的性能。

    注意利用匹配网络的滤波特性(一举两得),如抑制HMD

    2)打勾的好处是,手动设定Zs共轭后,可以在图中保持不变,即锁定

    3)电路中插入smith控件匹配方法:从右往左

    i) 输入端,由最佳SS*,再匹配到50欧姆

    ii) 输出端,由50欧姆直接匹配到最佳L

    可以忽略port的设置。

    4) 短路slot等价于电感,向上转

    开路slot等价于电容,向下转

    二.滤波器

    LPF_General

    Filter_DG结构

    Goal: fp=4GHz, fs=8GHz

    总结:PORT取50欧姆,性能看S21

    Transform assistant

    1. LC 转slot,固定电长度为45度

    2)网络前后加50欧姆TLINE,改串联SLOT为并联SLOT

    3)物理参数W,L

    由LC转换成传输线后性能大大提升。高频采用传输线的好处。

    LPF_ 950MHz_HMD

    Goal: fp=950MHz, fs1=1900MHz, fs2=2850MHz

    3个LC并联对应3个坑点

    总结

    1) 一般设计步骤

    DG得滤波器结构及器件初始值;

    将初始值替换为接近的实际器件离散值附近的值,进行优化

    先批量替换电容,逐步优化目标,迭代进行

    再批量或逐步替换电感,直至目标可接受。电感取值自由度高。

    2) HMD抑制采用了LPF,即低频通,高频抑制; 实际只需要3个频点附近的性能。

    3) 以LPF结构为基础,结合LC串联和LC并联(谐振点,坑)可构成BPF,BSP等Filter

    4) 普通PCB板加Murata电容电感作HMD滤波,缺点是通高功率信号会发热严重。散热问题,大面积漏铜,过孔密集,风扇吹等。

    三.低噪放

    2.4GHz LNA

    BIAS

    1. 根据datasheet和iv curve选择bias点

    Vds=3.5V,Ids=53mA*2,Vgs=0.64V作为bias点。给定2电压必得电流。

    1. 理想bias,NFmin, MSG和K

    此时主要check作为lna应用时本身的性能!

    1. 电阻Bias

    vgs=r3/(r2+r3)*vdd vds=vdd-id*r1

    故r2,r3只需保持比值即可,而r1与bias选择关系较大

    2 choke+2 cap

    和理想bias性能保持一致。此时,bias不影响rf特性

    1. 稳定_源极负反馈Ls

    bias确定时,Ls决定了谐振频率

    设定Ls的初值起码保证中心频点处稳定

    1. 稳定_ bias电阻

    理想情况下,直流通路和交流通路互不影响;但为了省面积必须考虑元件复用;

    使交流信号经过直流路径可以利用bias电阻来稳定。

    关键在于L和C的取值,充分利用谐振频率点来选频。不稳定频段看到电阻。

    配合Ls,Ls负反馈显著影响整个频段的增益。

    输入端的并联LC显著影响NFmin

    稳定的兼顾NFmin和MaxGain这两个指标,决定了匹配最好性能,即折衷的空间。

    Input Match

    由ns_circle和ga_circle得最优Γs

    GA最佳点,默认假设了输出共轭匹配,而实际负载是50欧姆。

     两个交点,取哪一个?上还是下?取上!离50欧姆更近一些

    选取ns和ga的折衷点m3,m4,使其匹配到50欧姆,移动的是交点的位置而已。

    输入匹配使50欧姆处的ga,ns达到要求,但S21<Ga<MAG,需要输出匹配。

    Output Match

    取ga和gp的交点,如果ZL取m14,则理论上S21应该等于GA=GP=17.175

    上一步S21<Ga,就是因为当时的ZL=50欧姆

    m14取离50欧姆最近的点,意味着牺牲的S11最小!(Γin与ΓL的关系)

    Ga供参考,主要是S11和GP的折衷

    非线性

    结果

    总结

    LAN设计重点在于NF和Gain,兼顾K,S11, S22及P1dB

    设计步骤:设计目标-->器件特性--> bias ->稳定性-->根据NFmin和Ga设计输入匹配-->根据GP和S11确定输出匹配--> --> 检查P1dB等非线性指标

    重点: LC选频,Ls负反馈,K值与电阻的关系,NF与NFmin 的关系,S21与GP,GA的关系,S11,S22与GP,GA的关系,NF 与GA的折衷等,如何使S11=S22同时失配,如何直接在电路图设计匹配电路。

    900MHz LNA

    BIAS

    1. iv curve

    取Vds=3V, Vgs=0.665V,则Ids=125mA

    1. bias 电阻

    3)原始特性

    4)稳定措施

    Input matching

    不做匹配,结果已经可以了。

    Output matching

    Nonlinear

    1. P1dB&HMD

    Result

    f0

    2.4GHz

    K

    >1

    NF

    0.234dB

    Gain

    21.36dB

    vswr

    1.342

    S11

    -16.4

    S22

    -16.7

    IP1dB

    0dBm

    四.功放

    945MHz PA

    Bias

    1. iv curve

    1. stability

    Loadpull

    1. 最佳负载

    1. output matching

    Sourcepull

    1)最佳源阻抗

    2)input matching

    Results

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