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  • 芯茂微开关电源 LP3667B 5W极简高性能PSR --满足全球认证要求

    https://www.chip-hope.com/NewsDetail/1260937.html

    LP3667B 5W极简高性能PSR --满足全球认证要求(全新升级)

    发表时间: 2019-09-17 00:00:00

     

    作者: Ki

     

    来源: 芯茂微电子

     

    浏览: 13097

    ●外围元器件极简:比业界现有方案节省6-7颗外围器件,方案成本低,备料、生产简单,大大提高生产直通率。 ●系统安全性和可靠性:芯片耐压≥850V,变压器漏感小、具有Vce尖峰小的优势,省RCD吸收电路安全可靠。 ●ESD能力超强:芯片管脚人体放电模式(HBM)≥4KV,生产、存储、使用时更加安全可靠。

     

     

              

      LP3667B5V1A过认证电路图                                                   LP3667B 5V1A过认证实物图

     

     

        INPUT 230Vac 传导L线测试图                                                  INPUT 230Vac 传导N线测试图

     

     

         INPUT 230Vac 辐射水平测试图                                                  INPUT 230Vac 辐射垂直测试图

     

     

    LP3667B过认证方案成本及性能优势:

     

    1、极简外围,比现有常规方案,节省6-7颗外围器件,系统成本低,备料及生产简单,提高生产效率;

    2EMI/EMC特性好、余量足,即使无Y电容,也能轻松满足全球认证要求;

    3耐压850V,独有的晶体管防二次击穿电路,极高的安全性及可靠性;

    4高精度的恒流恒压特性,带输出线损补偿,保护功能完善,具有过温、过压、过流、短路等保护;

    5专利的供电及自适应智能驱动技术,满足六级能效要求且余量足、极低的温升

    6独有的工艺制程,芯片管脚人体放电模式(HBM) 4KV,生产、存储、使用时更加安全可靠。

     

    LP3667B过认证方案应用注意事项

     

    1Vcc电容用贴片电容(1uF、耐压≥10V),或者高频低阻电容(4.7uF、耐压≥10V),不能用普通铝电解;

    2、大电流回路尽量短,亦即高压输入电容负极与芯片7脚、Vcc电容正负极与芯片1/7脚铜箔走线短;

    3、无Y电容应用时,次级肖特基须并联RC吸收电路及增加Cg(10PF/1KV)电容。

     

     

    5W非标PCBA成本<0.80

     

     

     

     

     

     

     

     

    LP3667B5V1A方案成本及性能优势优势:

     

     

    l  外围元器件极简:比业界现有方案节省6-8颗外围器件,方案成本低,备料、生产简单,大大提高生产直通率。

    l  系统安全性和可靠性:芯片耐压≥850V,变压器辅助绕组放在变压器最外层,漏感小,省RCD吸收电路安全可靠。

    l  ESD能力超强:芯片管脚人体放电模式(HBM)4KV,生产、存储、使用时更加安全可靠。

     

     

    BOM:

     

     

    变压器资料:

     

     

    应用注意事项:

    l  变压器匝比可取12-15,确保感量及磁芯在产品老化、正常工作时,不会进入饱和状态;

    l  RCD吸收,变压器辅助绕组必须绕在最外层,并确保变压器绕制工艺使系统Vce尖峰≤830V

    l  可通过变压器匝比调节系统输出OCP大小,匝比越大OCP越大,匝比越小OCP越小。在感量1.7mH情况下,匝比135:9OCP1.25A左右,匝比135:10OCP1.15A左右,匝比135:11OCP1.05A左右。

    l  Vcc电容选用贴片电容(1uF、耐压≥10V),或者高频低阻电容(4.7uF、耐压≥10V),不能用普通铝电解;

     

     

    替换竞品5W非标应用

     

    替换竞品应用:

                            竞品电路图                                                                                                     LP3667B电路图

     

     

     

     

       竞品改动前PCB实物图                                                   改为LP3667BPCB实物图

     

     

    l  PCB板不做改动;

    l  变压器不做改动;

    l  直接拿掉原板上的5个器件(见上图圆框内)即可;

    l  LP3667B耐压≥850V,如果将原变压器改为芯茂微推荐参数及工艺,原板上RCD电路还可省略;

    l  Vcc电容须用1uF贴片电容,或4.7uF高频低阻电解电容。

    l  替换竞品双绕组应用时,上偏电阻是21206电阻串联的才能直接替换,否则必须更改LAYOUT

     

    FB上偏电阻阻值按如下公式计算:

     

     

    说明:

    1、  VOUT:设计空载输出电压,单位V

    2、  ND:原变压器辅组绕组匝数;

    3、 NS:原变压器次级绕组匝数;

     

     

    深圳市芯茂微电子有限公司

    深圳市罗湖区清水河街道清水河一路116号深业进元大厦塔楼115

    联系人:李明辉

    电话:13927437847

    邮箱:limh@lpme.com

     

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