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  • 光电二极管PD选型

    光电二极管是反向工作的。

    光电流:在一定反向电压下,入射光强为某一定值时流过管子的(反向)电流。光电二极管的光电流一般为几十微安,并与入射光强度成正比,该值越大越好

    暗电流:在一定反向电压下,无光照时流过管子的(反向)电流,一般小于0.1~ 02I_LA,该值越小越好

    最高工作电压:指在无光照、反向电流不超过规定值时(通常为0.1VA),允许的最高反向工作电压,一般在10~50V,使用中不要超过。

    响应时间:

    截止频率:本征响应带宽 或 能检测到的信号带宽

    光灵敏度(单位:A/W):光电流(单位:A)与特定波长入射光辐射能通量(辐射功率)(单位:W)的比值。            光辐射能通量(辐射功率):单位时间内,一定截面上受到的光辐射能量。

    光谱响应范围:指光电二极管光谱响应最灵敏的波长范围。一般为光灵敏度高于最大值5%或10%的波长范围。一般为0.88~0.94 y,m。例如,2CUID型光电二极管的最高工作电压为40V,光电流大于80 pdA,暗电流小于0.2斗A,响应波长为0.88 pdm。

    上升时间(tr):定义为信号强度从最终强度的10%上升到90%所用的时间。

    截止频率:当光电二极管接收到激光二极管等发射的正弦调制光波时,截止频率fc定义为光电二极管的输出(电流或电压)相比于100%输出下降3 dB时的频率。截止频率(fc)与上升时间(tr)的换算公式为:tr(s)=0.35 / fc(Hz)。

    结电容(Cj):由于耗尽层的存在,PD的PN结中会形成一个等效电容。

    终端电容(Ct):是在没有光信号时的PD总电容,包含了结电容(Cj)和封装时所产生的寄生电容(package stray capacitance),是一个更加实用的数据。一般说来,终端电容(Ct)越大,响应速度越慢——通俗地理解,电容大了,充放电时间变长,最终影响PD输出信号的时效性。

    响应速度:通常由上升时间(Rise time,tr)和截止频率(Cutoff frequency, fc)进行描述。

    类型                         特征响应范围                      光灵敏度                          暗电流                  结电容              尺寸                           封装                     照片

     

    PN光电二极管:

    PIN光电二极管:10Ghz频带宽,线性输出范围宽

    APD雪崩光电二极管:高内增益,几百;宽 带宽100Ghz;响应速度最快,噪声大。 

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