找回账号了。。。当年大学没好好学,模电数电全挂科。现在需要用,只能硬着头皮学一遍。
模拟电路:最基本的处理是对信号的放大,讲述各种放大器。
放大的本质:能量的控制
有源元件:能够控制能量的元件,晶体管、场效应管。
基本概念、基本电路、基本分析方法。 >>>>>> 重点
1.本征半导体:
纯净的晶体结构的半导体。热运动—>产生自由电子—>空穴——>相碰同时消失,复合。
温度升高,热运动增加,自由电子和空穴浓度增加。
载流子:运送电荷的粒子
2.杂质半导体:
2.1、N型半导体
磷P替换硅Si,多数载流子为自由电子
2.2、P型半导体
硼B替换硅Si,多数载流子为空穴
3.PN结的形成及单向导电性
浓度产生扩散运动,电场作用产生飘逸运动。
当扩散运动和漂移运动的载流子数目一样,动态平衡,形成PN结。
PN结正常电压导通:形成扩散电流
PN结反向电压截止:耗尽层变宽,利于漂移运动,形成漂移电流,很小趋于0
4.PN结的电容效应
1.势垒电容
2.扩散电容
结电容:C3 = Cb + Cd,不是常量。
半导体二极管:
1.PN结封装,引出电极,形成二极管。
点接触型:结面积小,结电容小,电流小,最高工作频率高。
面接触型:结面积大,结电容大,电流大,最高工作频率低。
平面型:结面积可大可小,参考前两者。
2.二极管伏安特性
硅Si:开启电压0.5V,导通电压0.5~0.8V,反向饱和电流1微安
锗Ge:开启电压0.1V,导通电压0.1~0.3V,反向饱和电流几十微安
①单向导电性
②伏安特性受温度的影响
3.二极管的等效电路
①将伏安特性折线化
根据不同情况选择不同等效电路。
②微变等效电路
4.二极管的主要参数
①最大整流电流IF:最大平均值
②最大反向工作电压UR;最大瞬时值
③反向电流IR:即IS
④最高工作频率fM:因PN结有电容效应
5.稳压二极管
①伏安特性
PN结反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变,为稳定电压。
②主要参数
稳定电压Uz、稳定电流Iz
最大功耗Pzm=IzmUz 动态电阻rZ=ΔUZ/ΔIZ
晶体三极管
1.结构符号
发射区:多子浓度高
基区:多子浓度很低,而且很薄
集电区:面积大
2.放大原理
3.共射输入特性和输出特性
这一段是听的云里雾里。。。。待续。。。。