找回账号了。。。当年大学没好好学，模电数电全挂科。现在需要用，只能硬着头皮学一遍。
模拟电路：最基本的处理是对信号的放大，讲述各种放大器。
放大的本质：能量的控制
有源元件：能够控制能量的元件，晶体管、场效应管。
基本概念、基本电路、基本分析方法。 >>>>>> 重点
1.本征半导体：
纯净的晶体结构的半导体。热运动—>产生自由电子—>空穴——>相碰同时消失，复合。
温度升高，热运动增加，自由电子和空穴浓度增加。
载流子：运送电荷的粒子
2.杂质半导体：
2.1、N型半导体
磷P替换硅Si，多数载流子为自由电子
2.2、P型半导体
硼B替换硅Si，多数载流子为空穴
3.PN结的形成及单向导电性
浓度产生扩散运动，电场作用产生飘逸运动。
当扩散运动和漂移运动的载流子数目一样，动态平衡，形成PN结。
PN结正常电压导通：形成扩散电流
PN结反向电压截止：耗尽层变宽，利于漂移运动，形成漂移电流，很小趋于0
4.PN结的电容效应
1.势垒电容
2.扩散电容
结电容：C3 = Cb + Cd，不是常量。
半导体二极管：
1.PN结封装，引出电极，形成二极管。
点接触型：结面积小，结电容小，电流小，最高工作频率高。
面接触型：结面积大，结电容大，电流大，最高工作频率低。
平面型：结面积可大可小，参考前两者。
2.二极管伏安特性
常温下Vr=26mV
硅Si：开启电压0.5V，导通电压0.5~0.8V，反向饱和电流1微安
锗Ge：开启电压0.1V，导通电压0.1~0.3V，反向饱和电流几十微安
①单向导电性
②伏安特性受温度的影响
3.二极管的等效电路
①将伏安特性折线化
根据不同情况选择不同等效电路。
②微变等效电路
4.二极管的主要参数
①最大整流电流IF：最大平均值
②最大反向工作电压UR；最大瞬时值
③反向电流IR：即IS
④最高工作频率fM：因PN结有电容效应
5.稳压二极管
①伏安特性
PN结反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。
②主要参数
稳定电压Uz、稳定电流Iz
最大功耗Pzm=IzmUz 动态电阻rZ=ΔUZ/ΔIZ
晶体三极管
1.结构符号
发射区：多子浓度高
基区：多子浓度很低，而且很薄
集电区：面积大
2.放大原理
3.共射输入特性和输出特性
这一段是听的云里雾里。。。。待续。。。。
