flash操作不同于sram，sram类似于在使用ram ip核（quartus/vivado）时生成的模块直接对存储操作，flash操作都是基于控制器的指令来的。flash在编程（写数据）之前是需要对芯片擦除（也就是写1）,因为编程操作只能把1变成0，而不能把原本是0的位变成1。
基本的命令：擦除命令/编程命令/读取命令（读取命令分为读取数据和读取寄存器）
基本操作格式:命令+[地址]+[数据] //地址和数据是可选的
flash芯片擦除时按扇区来划分的；读取时一般芯片内部有一个buffer（大概几十个字节的大小），也就是说一般每次读取就是这个buffer的大小；program也是一样有一个buffer（具体的大小取决于各个芯片）。
flash芯片还有一些写保护功能（本测试不做验证，测试主要这对操作接口）。
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flash分类：
并口flash
串行flash
norflash:容量小但速度快（这里的速度指读取的速度，尤其并口flash的读取和ram读取几乎没有区别）/一般用于存储系统，启动代码,bios之类
nandflash:容量大但速度低于nor/一般用于应用存储数据
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测试使用的cypress的flash芯片：以S25FS128S/S25FS256S为例
扇区划分模式，选择最简单的一种，便于操作：
注意： 该芯片读取时可以一个字节一个字节自累加读取模式（可以一直读完整个芯片再回到地址0继续循环下去）：
另一种QuadIO Read一定要burst模式，也就是只能一组一组读取，地址在组内累加循环。
cypress的芯片一般都有模型可以下载：https://www.cypress.com/verilog/s25fs256s-verilog
这个芯片有多种读写接口模式：命令+地址+数据
1-1-1（默认模式/基本的spi模式）/1-4-4（QuadIO模式）/4-4-4(QPI模式)
【芯片读取数据时还可支持ddr操作，取决于具体的读取命令】
【QPI模式和QuadIO模式的区别：两者都需要开启四线操作（CR1V[1]），但QPI模式还要开启（CR2V[6]）;
需要说明，CR2V[6]一旦assert会同时assert CR1V[1]，CR1V[1] assert之后除非复位否则不会变为0】
芯片的工作状态由4个8bits配置寄存器控制：CR1V/CR2V/CR3V/CR4V
所有操作要通过SR1V状态寄存的查询结果作为判断成功结束的依据：
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注意：spi模式io用了两个，qpi/quadio是4个。
注意：片选信号csn需要提前且滞后时钟信号clk至少一个时钟周期。
SDR 时序：
DDR时序：
关于写使能是否在每次的擦除、编写前都需要执行一次：
虽然在寄存器定义里只说和WRENWRDI命令有关，但实际还是需要在每次执行擦写前进行一次写使能的。
S25FS128S：
S70FS01GS：
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以对一个扇区的操作来验证flash芯片的基本功能，操作流程：
1、上电延时（等待芯片复位）->
2、设置工作模式（使能4字节模式）-> 1-1-1(SPI)
3、读取配置寄存器的默认值（验证基本的读取功能及芯片的工作状态）-> 1-1-1(SPI)
4、写入配置寄存器（需要注意此步骤之前需要先执行写使能操作/否则操作不成功）-> 1-1-1(SPI)
5、在新配置的模式下读取芯片id(验证当前设置是否成功)-> 4-4-4（QPI）
6、芯片指定扇区擦除-> 4-4-4（QPI）
7、第一次读取验证-> 4-4-4(QPI/SDR)
8、指定扇区编程-> 4-4-4（QPI）
9、指定扇区读取及验证-> 1-4-4（QaudIO/DDR）
10、进入芯片低功耗模式（测试完成）(1-1-1/SPI)
整个测试代码分为两部分：
底层的接口驱动（完成读写时序）+测试状态机（完成测试流程）
参考：