RAM可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。SRAM存储元件所用MOS管多，占硅片面积大，因而功耗大，集成度低；但因为采用一个正负反馈触发器电路来存储信息，所以只要直流供电电源一直加在电路上，就能一直保持记忆状态不变，所以无需刷新。也不会因为读操作而使状态发生改变，特别是它的读写速度快，其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。由于SRAM价格比较昂贵，因而适合做高速小容量的半导体存储器，如Cache。
SRAM结构图
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息。DRAM存储元件所用MOS管少，占硅片面积小，因而功耗小，集成度很高；但因为采用电容存储电荷来存储信息，会发生漏电现象，所以要使状态保持不变，必须定时刷新；读操作会使状态发生改变；特别是它的读写速度相对SRAM元件要慢的多，其存储原理可看作是对电容充、放电的过程。相比于SRAM，DRAM价格较低，因而适合做慢速大容量的半导体存储器，如主存。
DRAM结构图
SRAM存储一位需要6个晶体管，而DRAM只需要一个电容和一个晶体管。cache追求的是速度，所以选择SRAM，而内存追求容量所以选择能够在相同空间中存放更多内容且造价相对低廉的DRAM。
我们姑且不去讨论关于SRAM是如何静态存储数据（触发器）的。为什么DRAM需要不断刷新呢？
DRAM的数据实际上是存在电容里的。而电容放久了，内部的电荷就会越来越少，对外就形成不了电位的变化。而且当对DRAM进行读操作的时候需要将电容与外界形成回路，通过检查是否有电荷流进或流出来判断该bit是1还是0。所以无论怎样，在读操作中我们都破坏了原来的数据。所以在读操作结束后需要将数据写回DRAM中。在整个读或者写操作的周期中，计算机都会进行DRAM的刷新，通常是刷新的周期是4ms-64ms。
关于SRAM和DRAM的寻址方式也有所不同。虽然通常我们都认为内存像一个长长的数组呈一维排列，但实际上内存是以一个二维数组的形式排列的，每个单元都有其行地址和列地址，当然cache也一样。而这两者的不同在于对于容量较小的SRAM，我们可以将行地址和列地址一次性传入到SRAM中，而如果我们对DRAM也这样做的话，则需要很多很多根地址线（容量越大，地址越长，地址位数越多）。所以我们选择分别传送行地址和列地址到DRAM中。先选中一整行，然后将整行数据存到一个锁存器中，等待列地址的传送然后选中所需要的数据。这也是为什么SRAM比DRAM快的原因之一。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM等。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM， 这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势。而通常人们所说的SDRAM 是 DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。
SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟， 内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM。
DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。
详细可以参考：http://www.21ic.com/app/mcu/201412/610561.htm