1.CMOS流行起来的因素.
功耗低，只在开关的时候有功耗。
只需很少的元件。
一开始CMOS的模拟性能差，但是随着尺寸减小，速度也上去了，几G的CMOS已经产生。
2.二级效应。
体效应：衬底如果不和源极等电位，则阈值会发生变化。
沟道调制效应：Id会随着Vds增加而增加，这种效应的强度和沟道的长短成反比。
亚阈值效应：Vgs没有达到阈值时，仍有电流，指数规律变化。（低压工艺中，选择0.3V为阈值电压，那么Vgs下降到0时，漏电流仅下降到不到10的负4次方）
3.NMOS和PMOS的比较
在大多数工艺中，P要比N的性能差。例如空穴的迁移率小，导致了低的电流驱动能力和跨导。
NMOS呈现较高的输出电阻。
4.基本公式
过驱动电压：Vgs-Vth
当Vds=过驱动电压时，Id达到峰值（不考虑沟道长度调制）