关于STM32映射地址空间，以及战舰板子的外加SRAM地址等有些不解，论坛和原子讨论了一下，稍微明白了一些，记录在此，不一定正确
http://openedv.com/posts/list/0/13394.htm?privmsg=1#73668
原子哥，还有一个小问题，也是关于地址的，在手册4.6节，讲MDK中地址映射，两个相邻寄存器之间的偏移都是0X04，这是因为寄存器都是32位，32/8=4byte么？
在sram中地址都是偏移0x01，这是因为512k*16位=1MB，我们寻址时候只寻址512k的数据量。而上面寄存器映射的寻址如果也是1MB空间，我们就相当于寻址1MB的数据量。
这样理解对么？
里是因为SRAM用了FSMC的UB/LB信号，控制字节高地位了。
因为SRAM是16位的，当你要读写8位数据的时候，UB/LB就发挥作用了，比如在SRAM的地址0写入1个8位的字节，那么LB会输出有效，而UB则保持不变（高电平），表示写入地址0的低8位，写法就是：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;//0XAA是你想写入的字节。
而如果要在SRAM地址0写入高8位，那么对于STM32来说，地址就相应加1即可，即：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+1)=0XAA;
此时LB会输出高电平，UB会输出有效电平（低电平），表示写入地址0,的高字节。
这样，对STM32来说，地址就是连续的了，0，1,2,3,4,5，都是合法的了，自然就不需要你的地址右移对齐了，硬件通过UB/LB去控制了。
回复【3楼】 wwjdwy :
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32位就是占4字节的。
1，地址映射里的地址偏移每个寄存器都是便宜0x04，是因为每个寄存器32位四字节。
2，那我的SRAM要在地址1写入呢？写入地址1的低字节就是*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+2)，写入地址1的高字节就是*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+3)？？？
一次写入一个16位的数据呢？
回复【6楼】 正点原子 :
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那写入的是8位数据，就相当于把地址从512k变成了1M，可以连续的写地址0,1,2,3，。。。。,512，。。。。1023,1024
写入16位数据时候，地址0,2,4,6,8,10.....512，。。。。1024。也就可以理解为0,1,2,3.。。512连续地址左移一位变成了0,2,4,6,8,.....512，。。。。1024
那这个地址+1或者+2要根据写入数据是8位还是16位来确定喽？
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
pBuffer++;
}
}
这里u8* pBuffer，所以WriteAddr++才对，是这么理解吧
其实两个寻址一个意思，只是一个寄存器32位，一个是8或16位。一个地址加数据，一个只是地址。真是悟，不知道对不对