1、存储器分类？
2、按存储器方式划分存储器和其特点？
另一种说法：
（1）随机读写存储器(random access memory，随机存取存储器）
- SRAM （Static RAM，静态随机存储器）断电数据丢失
- .DRAM. （Dynamic RAM，动态随机存取存储器） 断电数据丢失
- SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存储器） 断电数据丢失
- DDR (DDR SDRAM=双倍速率同步动态随机存储器)
（2）只读存储器（Read-Only Memory，只读存储器的总称）
- PROM: 可编程只读存储器，只能写一次
- EPROM（Erasable Programmable ROM，可重复擦除和写入）
- EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦可编程只读存储器)
（3）闪存（Flash）
闪存(FLASH)是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失. 因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
3、SRAM、FLASH、DRAM的区别？
4、NAND FLASH 和 NOR FLASH 的区别？
5、register file，one/two port ram 的区别？
6、什么叫做OTP片/掩模片？有何区别？
7、简述SDRAM以及DRAM的区别以及各自的优缺点
- 异步与同步。前面介绍的标准DRAM是异步DRAM，也就是说对它读/写的时钟与CPU的时钟是不一样的。而在Sdram工作时，其读/写过程是与CPU时钟（PC机中是由北桥提供的）严格同步的。
- 读/写方式。标准的DRAM的读/写都是每读/写一个存储单元，都按照一定的时序，在DRAM规定的读/写周期内完成存储单元的读/写智能化。在SDRAM芯片内部设置有模式寄存器，利用命令可对SDRAM的工作模式进行设置。一般标准DRAM只有一种工作模式，无需对其进行设置。
- 内部组织结构。SDRAM芯片的内部存储单元在组织上与标准DRAM有很大的不同。在SDRAM内部一般要将存储芯片的存储单元分成两个以上的体(bank)。最少两个，目前一般做到4个。这样一来，当对SDRAM进行读/写时，选中的一个体(bank)在进行读/写时，另外没有被选中的体(bank)便可以预充电，做必要的准备工作。当下一个时钟周期选中它读或写时，它可以立即响应，不必再做准备。这显然能够提高SDRAM的读/写速度。而标准DRAM 在读/写时，当一个读/写周期结束后，RAS和CAS都必须停止激活，然后要有一个短暂的预充电期才能进入到下一次的读/写周期中，其速度显然会很慢。标准的DRAM可以看成内部只有一个体的SDRAM。
8、SRAM,FALSHMEMORY,DRAM，SSRAM及SDRAM的区别?
- SRAM：静态随机存储器，存取速度快，但容量小，掉电后数据会丢失，不像DRAM 需要不停的REFRESH，制造成本较高，通常用来作为快取(CACHE) 记忆体使用。
- FLASH：闪存，存取速度慢，容量大，掉电后数据不会丢失
- DRAM：动态随机存储器，必须不断的重新的加强(REFRESHED) 电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格比SRAM便宜，但访问速度较慢，耗电量较大，常用作计算机的内存使用。
- SSRAM：即同步静态随机存取存储器。对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
- SDRAM：即同步动态随机存取存储器。
9、SRAM面积大小与哪些些因素有关
- 容量
- 地址译码方式
- 禁布区
- BIST电路
10、下列关于存储器的描述正确的是（BC）
A、ROM可以任意进行读写操作
B、ROM在断电后信息不丢失，接通电源即可使用
C、RAM可以任意进行读写操作
D、RAM在断电后信息不回丢失，接通电源即可使用
11、16选1的数据选择器地址端有（4）位，n个触发器构成的计数器最大的计数长度为（2n）个。
12、有两种基本类型的flash存储器：（NOR）FLASH和（NAND）FLASH，如果要从FLASH直接运行代码，应选用（NOR）FLASH。
13、存储量为4KX8位的RAM存储器，其地址线为（12）条、数据线为（8）条。
14、一个数据0X01234567以Byte为存储单位存到地址空间初始地址2000h，以little-endian方式怎样存，以big-endlian方式怎样存？
字节排序含义：Big-Endian 一个Word中的高位的Byte放在内存中这个Word区域的低地址处。Little-Endian 一个Word中的低位的Byte放在内存中这个Word区域的低地址处。
必须注意的是：表中一个Word的长度是16位，一个Byte的长度是8位。如果一个数超过一个Word的长度，必须先按Word分成若干部分，然后每一部分(即每个Word内部) 按Big-Endian或者Little-Endian的不同操作来处理字节。
一个例子：
如果我们将0x1234abcd写入到以0x0000开始的内存中，则结果为
big-endian little-endian
0x0000 0x12 0xcd
0x0001 0x34 0xab
0x0002 0xab 0x34
0x0003 0xcd 0x12