1、 最能描述集成电路工艺技术水平的技术指标是(B)
A、晶片直径 B、特征尺寸 C、芯片面积 D、封装
2、 相同工艺条件下,下列哪种逻辑的组合逻辑延迟最长(A)
A、2输入异或门 B、2输入与非门
C、2输入或门 D、1输入反相器
3、对于90nm制程芯片,合法的电压,环境温度范围内,以下哪种情况内部信号速度最快:(B)
A:温度低,电压低
B:温度低,电压高
C:温度高,电压低
D:温度高,电压高
4、电容的作用包括(A,CEF)
A、去耦
B、采样保持
C、交流耦合
D、分压
E、储能
F、滤波
解析:电容的作用(1)隔直流(2)旁路(去耦)(3)耦合(4)滤波(5)温度补偿(6)计时(7)调谐(8)整流(9)储能
5、相同的size下,哪种cell漏电最小(D)
A、HVT B、RVT C、LVT D、ULVT
6、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?
根据掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类。 N型半导体中掺入的杂质为磷等五价元素,磷原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时,多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子,于是半导体中的自由电子数目大量增加,自由电子成为多数载流子,空穴则成为少数载流子。P型半导体中掺入的杂质为硼或其他三价元素,硼原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时,将因缺少一个价电子而形成一个空穴,于是半导体中的空穴数目大量增加,空穴成为多数载流子,而自由电子则成为少数载流子。
7、工艺分类和基础电路的工艺流程?
TTL,CMOS两种比较流行,TTL速度快功耗高,CMOS速度慢功耗低;
集成电路的工艺流程:氧化,离子注入,光刻,腐蚀,扩散,淀积等。
8、天线效应的概念和解决办法?