Flash 中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（断电数据不丢失）的存储器。可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程，在进行写入操作之前必须先执行擦除。一个Nand Flash由多个块(Block)组成，每个块里面又包含很多页(page)。每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的，用于放置数据的校验值检测和纠错的。块，是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。页，是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。
首先简要写一下FLASH的读写流程：
对FLASH写入数据
解锁FLASH
擦除FLASH
写入数据到FLASH
锁住FLASH
FLASH读取数据 （直接读取相应的FLASH地址即可）
操作MCU里的Flash，还有几个注意事项：
1、往Flash写入数据的时候，要先对要写入的页进行擦除，如果要写的页里有数据，要先读出来在缓存区，再把页擦除，再写入数据；在擦除页之后，只要这次你写的数据大小不够一页，可以连续写入。
2、要计算好程序的内存，因为你的程序也是保存在MCU的Flash里的，如果你操作到保存着程序的内存，程序就会死掉，至于程序内存怎么看，你可以生成bin文件，bin文件的大小就是你程序所占内存的大小了，生成bin文件可以参考博客：https://www.cnblogs.com/xingboy/p/10818813.html；程序内存基本都是从Flash内存一开始存起的，这里以STM32Fo72c8t6举例，如下图。
看图可以看出，这个芯片的Flash内存范围是 0x0800 0000 ~ 0x0802 0000 ，假设我要烧录进去的bin文件为10K，那我们操作Flash的时候，地址就要从 0x0800 0000 + (0x400*11) 开始，避开程序的存储位置，Flash地址偏移1位就是1个字节。
3、要注意MCU一页的大小，一些MCU一页是1KB，一些MCU一页是2KB
下面举个例子写入数据 0x0001 到Flash中：
uint16_t my_add = 0x0001;
uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash HAL_FLASH_Unlock(); //解锁Flash My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作 My_Flash.PageAddress = Robot_Num_Flash_Add; //声明要擦除的地址 My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值 uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址 HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError); //调用擦除函数擦除 uint16_t Write_Flash_Data = my_add; HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, Robot_Num_Flash_Add, Write_Flash_Data); //对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可 HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
写完之后，接着就到读了，Flash写有次数限制，写的次数在1W次还是10W次（忘了）就不可写入了，而读是没有次数限制的，读多少次都可以，下面就把写入到Flash里的数据 0x0001 读出来
uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;
ID_Num = *(__IO uint16_t*)( Robot_Num_Flash_Add ); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为16位数据,一次读取两个字节，*(__IO uint32_t *)就一次读4个字节
printf("ID_num:0x%x ", ID_Num);
经过上面的程序就可以实现 STM32 中 Flash 数据的读写了，具体怎么读写，每个案子不同，各位就可以根据需求去修改，只要注意好注意事项即可，代码已经实测可用。