保存电容影响dram 单元保存时间(retention time)波动的主要原因

本文纯属个人见解，是对前面学习的总结，如有描述不正确的地方还请高手指正~

    原文地址：http://phys.org/news8896.html

    

    尔必达公司的Hitachi, Ltd.,宣布他们已找到影响dram 单元保存时光(retention time)稳定的主要原因--三极管pn结泄漏电流的稳定。由于Dram的功耗受保存时光

    的影响很大，所以确定影响保存时光的要素，对下降dram功耗非常重要。

    每日一道理
整个世界，因为有了阳光，城市有了生机；细小心灵，因为有了阳光，内心有了舒畅。明媚的金黄色，树丛间小影成像在叶片上泛有的点点破碎似的金灿，海面上直射反映留有的随波浪层层翻滚的碎片，为这大自然创造了美景，惹人醉的温馨之感，浓浓暖意中夹杂着的明朗与柔情，让雨过天晴后久违阳光的心灵重新得到了滋润！

    

    一个Dram单元有一个三极管和一个电容构成。dram单元的写操纵是通过对电容的充电，来完成，充电是通过 通路状态的三极管完成。然而在保存时光段（retention period），

    三极管是处于断路（off-state）状态。Dram单元的保存时光是受电容的电荷泄漏限制的，电荷泄漏是通过从电容到断路的三极管通道 或/和 pn结发生的/

文章结束给大家分享下程序员的一些笑话语录： 看到有人回帖“不顶不是中国人”，他的本意是想让帖子沉了。