常见储存器件的分辨（RAM、SRAM、SDRAM、ROM、FLASH、Nand Flash、Nor Flash、DDR、eMMC）

存储器：

按照存储介质的不同，将存储器分为光学存储、半导体存储和磁性存储三大类。

下面在半导体存储器大类中，按照存储器的实现技术原理来进行详细分类。

• 光学存储
  • CD
  • DVD

• 磁性存储
  • 磁带、软盘、机械硬盘

• 半导体存储
  • RAM（Random-Access Memory）： 随机存取存储器
  • SRAM（Static RAM）:             静态随机存取存储器
  •  DRAM（Dynamic RAM）:     动态随机存取存储器
  • SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步动态随机存储器
  •  DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：双倍速率同步动态随机存储器，目前主流的内存类型
  • ROM（Read-Only Memory）：只读存储器
    • EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电可擦写可编程只读存储器
    • FLASH（Flash Memory）：闪存
      • NAND FLASH 
      • NOR FLASH

ROM：　

通常掉电后数据不会消失的半导体存储器都泛称为 ROM 了。

比如手机参数里所说的 ROM 通常就是指 NAND FLASH 类存储器。但这些 ROM 基本上都是不支持执行代码的。

　　NOR FLASH:

　　内存类接口，其最大的特点是norflash里面的程序可以直接运行，不必再把代码读到系统的RAM中，所以norflash能够直接用来做boot。

　　2440开发板是2M的norflash，有自己的地址线和数据线，能够采用类似于memory的随机訪问方式，但不能向内存直接写，需单独设置操作。
　　传输速度高、写入和擦除速度低，擦除前需要置零，读取比nand快，适合做代码存储并片上执行，
norflash的读取速度比nandflash稍快，但擦写速度比nandflash慢非常多。

　　NAND FLASH

　　I/O类接口：存储密度大，擦除简单，擦除和写入比nor快很多，但需要特殊的系统接口单元。类似电脑的硬盘，CPU从里面读取数据的速度很慢，他里面的代码也不能直接运行，要想运行需要把nandflash里面的数据读到内存里面，然后CPU才能执行，但是他的集成度很高，成本很低。属于IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，须要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机訪问，不能EIP（片上执行）。因此不能直接作为boot。适合用来作大量数据存储的。
　　注：UFS/eMMC是一种内嵌式存储器的标准规格（基于闪存介质的基础上集成主控芯片，而且拥有标准接口），而不是指具体的存储器，也不是指接口。

　　eMMC（embedded Multi Media Card：嵌入式多媒体存储卡）：   nandflash + 主控ic+mmc卡 便于开发

　　

　　eMMC内部主要可以分为Flash Memory、Flash Controller以及Host Interface三大部分。

 　　绝大部分的EMMC内部用的是Nand Flash，

NAND Flash直接接入Host时，Host端通常需要有NAND Flash Translation Layer，即NFTL或者NAND Flash文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。

eMMC则在其内部集成了Flash Controller，用于完成擦写均衡、坏块管理、ECC校验等功能。相比直接将NAND Flash接入到Host端，eMMC屏蔽了NAND Flash的物理特性，可以减少Host端软件的复杂度，让Host端专注于上层业务，省去对NAND Flash进行特殊的处理

　　UFS（Universal Flash Storage：通用闪存存储）不论是数据传输技术，还是工作模式，UFS都全面领先于eMMC，5G时代的到来，旗舰手机的ROM都至少是UFS3.0以上了。

 RAM：　

　　是随机存储内存，断电数据丢失，存储短时间使用程序。是用来存储当前数据的，比如手机程序运行时需要占用内存，是为机器运行软件提供内存的芯片

　　SRAM：

　　静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）是随机存取存储器中的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，掉电还是会消失的。这是性能十分优秀的 RAM，但价格较高，一般用在 CPU 内部做高速缓存（cache），或是（stepping stone）垫脚石。如三星的 S3C2440 内部就有 16Kb 的指令缓存、16Kb 的数据缓存和 4Kb 的内部 RAM（垫脚石）。当把Bootloader烧到nand flash上启动，由于在2440里有一个内置的SRAM。系统启动加电后，会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行（硬件自动实现），这样就实现了从nandflash启动。

　　DRAM：

　　

　　动态随机存取存储器(Dynamic RAM)，是如今最为常见的系统内存 RAM(无论是个人电脑还是智能手机)。它相对于SRAM，在通电的情况下，也只能将数据保持很短的时间，为了保持数据稳定，所以必须隔一段时间就要对存储单元刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，那么存储的数据就会丢失。

　　SDRAM：　　

　　同步动态随机存储器（Synchronous DRAM），它比 DRAM 多了一个同步。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。在JZ2440开发板中，S3C2440的外部接了两个32MB的SDRAM，这就是内存。

　　DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：

 

 

 

参考文献：

https://www.jianshu.com/p/1c1d49ffab4c

http://www.chinastor.com/baike/fenlei/

https://blog.csdn.net/haozi0_0/article/details/51892508

http://tech.sina.com.cn/mobile/n/n/2017-04-23/doc-ifyepsch2614993.shtml