原文：http://blog.sina.com.cn/s/blog_55b7b15e0100jfhs.html
page或者burst和一般存取方式的区别就是一个预缓存模式。 当你对memory读取一个字节的时候，如果是page模式，那么memory芯片本身会把这个字节所属page的所有东西在后台往缓存里面搬，如果要接着读取同一个page里面的东西，所需要的读取等待时间就少一些。 burst模式有点类似 ，不同的是page的长度和开始位置都是死的，而burst的长度和开始位置都可变，也更加灵活。
确实如上所说，在QSC6020里描述：WRAP8 mode support to optimize cache line fills
The cache line fills generated by the ARM926 processor are all WRAP8 bursts .Configuring the memory to operate in this mode provides better performance.This feature has the advantage that the initial latency cycles are not inserted when crossing a memory page boundary unnecessarily.
此时burst读取的方式，会读取到CPU的cache中，读取相同的一段会比较快，从而提高读取速度。
Burst在字典中译成“突发”,但不易理解；我一般把它译为“成组”
Burst write = 成组写入
Burst read = 成组读出
执行存储器访问指令时会有读存储器周期或写存储器周期，一般访问存储器的时间相对访问CPU内部的寄存器或Cache要长，如果每个存储器访问指令都要直接读写较慢的存储器，则整个CPU的性能就被拖慢了；为了充分发挥CPU的速度，就有了Burst技术，一次性地读取成组的数据，使较慢的存储器能够适用于较快的CPU。
Burst可以一次性地读出成组数据到内部寄存器或Cache；也可以平行地读出多个字节到FIFO，供应CPU的取指队列。