教材重点
1随机访问存储器
静态RAM（SRAM）：双稳态特性，只要有电，它就会永远地保持它的值。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。
动态RAM（DRAM）：当电容的电压被扰乱之后，它就永远不会恢复了。
传统的DRAM：行地址i称为RAS请求，列地址j称为CAS请求，注意RAS和CAS请求共享相同的DRAM地址引脚。
增强的DRAM
FTP DRAM（快页模式）：允许对同一行连续地访问可以直接从行缓冲区得到服务。
EDO DRAM（扩展数据输出）：允许各个CAS信号在时间上靠的更紧密一点。
SDRAM（同步）：更快。
DDR SRAM（双倍数据速率）：使用两个时钟沿作为控制信号，从而使DRAM的速度翻倍。
VRAM（视频）：用在图形系统的帧缓冲区中。
非易失性存储器
PROM（可编程）：只能被编程一次；EPROM（可擦写可编程）：1000次；EEPROM（电子可擦除）：10^5次。
闪存：基于闪存的磁盘驱动器称为SSD（固态硬盘），更快速、更强健、更低能耗。
固件：存储在ROM设备中的程序。
总线是一组并行的导线，能携带地址、数据和控制信号。
2.磁盘构造：
- 磁盘由盘片构成，每个盘片有两个表面。
- 通常是5400-15000转每分钟（RPM）。
- 每个表面是由一组称为磁道的同心圆组成的。
- 每个磁道被划分为一组扇区，每个扇区包含相等数量的数据位（通常是512字节）。
- 间隙存储用来标识扇区的格式化位。
- 柱面是所有盘片表面上到主轴中心的距离相等的磁道的集合。
3.存储器层次结构：
（1.）存储器层次结构的中心思想：位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大跟慢的存储设备的缓存。
（2.）数据总是以块大小为传送单元在第k层和第k+1层之间来回复制的。虽然在层次结构中任何一对相邻的层次之间块大小是固定的，但是其他的层次对之间可以有不同的块大小。
（3.）缓存不命中：冷缓存（强制性不命中或冷不命中）；冲突不命中；容量不命中。
（4.）存储器层次结构的本质：每一层存储设备都是较低一层的缓存。
（5.）基于缓存的存储器层次结构行之有效，是因为较慢的存储设备比较快的存储设备更便宜，还因为程序倾向于展示局部性（时间、空间）。
