GDSII是一种标准版图描述语言，采用二进制格式记录版图几何图形、拓扑关系、结构、层次以及信息，文件一般以.gds做后缀。
technology file 工艺技术文件，内容一般包括图形定义及显示信息、互连线工艺和通孔工艺信息。.tf
设计规则检查DRC 将版图中所有几何图形与设计规则规定的尺寸、间距进行比较，并将所有违反规则的地方通过EDA工具以醒目标识反标到版图中告诉设计者。
电路规则检查LVS 主要目的是验证版图与电路原理图的电路结构是否一致。
完整的工艺库里面的单元可以分为三类：标准单元、模块宏单元、输入输出单元IO pad cell。
芯片与印刷电路板通信的结构电路统称为IO电路，作为芯片与外界通信的接口必须具有较大的驱动能力，抵御静电放电的能力以及足够的带宽和过电保护功能，种类包括：输入io、输出io、双向输入输出io、供电io、接地io。
io的组成大致可分为三部分：pad接口、信号缓冲电路、静电保护电路；下图是smic180工艺提供datasheet里描述的io pad。输入缓冲电路的主要作用是将外部电压转换为芯片内部信号电压，还可以过滤输入噪声。
特殊的标准单元：
填充单元、电压钳位单元、二极管单元、时钟缓冲单元、延时缓冲单元、阱连接单元、电压转换单元、隔离单元、开关单元
去耦单元，当电路中大量单元同时翻转时会导致充放电瞬间电流增大，使得电路动态供电电压下降或者地线电压升高，引起动态电压降IR-drop。为了避免动态电压降对电路性能的影响，通常在电源和地线之间放置由MOS管构成的电容，被称为去耦电容或去耦单元decap cell，它的作用是在瞬态电流增大、电压下降时向电路补充电流以保持电源和地线之间的电压稳定。
物理库交换格式LEF文件，c家是这样，s家可以转换为xxx，定义单元的物理信息。
器件延时：
信号通过一个逻辑门所经历的时间，反映了门对输入信号变化响应的快慢，也称作传播延时。数集书上有计算公式。
在DC中，是采用非线性延时模型去估计的，参数有输入翻转延时（信号斜率）和输出负载（电容）。
静态功耗：
动态功耗：翻转功耗
时序库lib、天线效应
布图规划floorplan：布局包括对标准单元、io单元、block的规划，标准单元部分包括扫描链重组；
布图规划主要内容包含了对芯片大小die size、io、macro的规划，
需要的准备数据
io单元的类型和布局
类型有：
布局：
数字供电io单元分为两组，一组给核内的标准单元供电，一组给io单元供电。下面是smic180的io供电单元：
供电单元数量的确定：
供电单元位置的摆放：
展平设计与层次化设计
展平式物理设计：
硅虚拟原型设计
层次化物理设计
芯片面积die size
布线轨道：芯片内部专门用于布线的路径
布线通道：每两条或多条布线轨道的空间，他们上面不可以摆放标准单元
模块block：为层次化设计中从顶层分割而成的子模块，每个子模块可以包含一个或多个逻辑模块module。
当每个子模块实现了布局布线并满足时序要求后，可以产生自己的物理单元和时序单元，这时它就成为一个硬核模块。
电源规划powerplan
给整个芯片的供电设计出一个均匀的网络。
电源环线与电源条线：
电源网络设计：
LEF文件：包括CEL、FRAM文件夹
电源环线：
电源网格：
smic180 smic18_6lm.tf文件里指明的pitch如下，每一层金属的pitch不一样，via也有pitch
布局