NAND FLASH的结构如图所示：
Denali NAND FLASH控制器模块提供了从AHB总线到外部NAND FLASH存储器芯片IO管脚的访问功能。主要技术特性包括：
1.标准32位AHB总线接口；
2.提供AHB交易缓存异步FIFO，实现速度匹配和数据通路调整，与AHB总线、与NAND FLASH存储器之间的数据通路均可配置（最大64bit）；
3.提供数据缓存以提高访问性能；
4.支持内建的BOOT启动访问；
5. 提供4路bank片选信号，每路bank片选信号支持4片外部存储器件(?)；
6.提供16bit位宽的内部控制寄存器，访问时序可配置；
7.提供控制通路，处理器可直接控制外部访问；同时也提供智能硬件抽象层，减轻处理器访问负担。
NAND FLASH控制器支持器件特性如下：
1.支持32页、64页及128页的块大小；
2.支持512B、2kB、4kB及8kB的页大小
3.支持多层器件；
4.支持SLC（Single Layer Cell，单层单元）和MLC（Multiple Layer Cell，多层单元），并具有可配置ECC纠检错功能。
控制器通过内置命令实现对存储器的操作，支持四种命令格式：MAP00/MAP01/MAP10/MAP11。
MAP00命令 一般不单独使用，对页缓冲区进行操作操作
MAP01命令 读、写存储器的一页（Nand Flash读写最小单位是页，擦除最小单位是块）
MAP10命令 包含六个子命令：擦除（块）、复制（页）、锁定（块）、页的读写修改（可修改单个字节）、传输模式配置（主区+备份区）、流水线
MAP11命令 每太看懂是干嘛的...
此外，还支持ECC校验功能。