10.NandFlash的驱动_写操作

10.NandFlash的驱动_写操作

上一节，学习了NandFlash的按页读的操作，下面是实现NandFlash的按页写。首先还是查看NandFlash芯片K9F2G08U0A的时序图

根据I/O pin角的信号信息，知道要实现NandFlash的写操作需要的步骤如下：

最后实现按页写的函数：

int NF_WritePage(unsigned long addr, unsigned char* buff)

{

    int ret;

    int i;

    

    //选中flash芯片

    select_chip();

    

    //清除RnB

    clear_RnB();

    

    //发送命令0x80

    send_cmd(0x80);

    

    //发送列地址

    send_addr(0x00);

    send_addr(0x00);

    

    //发送行地址

    send_addr(addr&0xff);

    send_addr((addr>>8)&0xff);

    send_addr((addr>>16)&0xff);

    

    //写入数据

    for(i=0;i<2048;i++)

    {

     NFDATA = buff[i];     

    }

    

    //发送命令0x10

    send_cmd(0x10);

    

    //等待RnB

    wait_RnB();

    

    //发送命令0x70

    send_cmd(0x70);

    

    //读取写入结果

    ret = NFDATA;

    

    //取消选中flash芯片

    deselect_chip();

    

    return ret;    

}

编译make一下，没有错误的情况下，还不能烧写到开发板，因为不管是norflash或者是NandFlash，在进行写之前必须进行擦除。接下来就是实现擦除函数：

void NF_Erase(unsigned long addr)

该函数有一个参数，就是页地址。

接下来看NandFlash芯片K9F2G08U0A擦除的信息：

注意的是，在擦除的时候，不会按照页擦除的，而是把该页所在的整块全部擦除。

根据上面擦除的时序图，擦除函数的实现步骤：

void NF_Erase(unsigned long addr)

{

    int ret;

      

//选中flash芯片

    select_chip();

    

    //清除RnB

    clear_RnB();

    

    //发送命令0x60

    send_cmd(0x60);

    

    //发送行地址

    send_addr(addr&0xff);

    send_addr((addr>>8)&0xff);

    send_addr((addr>>16)&0xff);

    

    //发送命令D0

    send_cmd(0xD0);

    

    //等待RnB

    wait_RnB();

    

    //发送命令0x70

    send_cmd(0x70);

    

    //读取擦除结果

    ret = NFDATA;

    

    //取消选中flash芯片

    deselect_chip();

    

    return ret;

    

}

最后在main.c里面添加测试代码：

上面的测试代码中，先定义一个页大小的char buffer。然后格式化一个块大小的空间。接着将123写入NandFlash，接着通过NF_PageRead函数把刚才写入的值读出。最后通过点灯判断读出的是不是刚才写入的数字。来验证对NandFlash的写操作是否成功：成功就是没加NandFlash的操作代码，烧写到开发板，灯亮。加上上面的代码后烧写到开发板，灯不亮。